Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия

Новости перспективных технологий

20 февраля 2014

Создан самый быстрый в мире транзистор на основе кремния и германия

Изображения с сайта compulenta.computerra.ru

Исследователи из Технологического института Джорджии (США) и Института инновационной высокопроизводительной микроэлектроники (Германия) продемонстрировали в действии самое быстродействующее устройство на базе кремния изо всех, когда-либо созданных человеком.

Криогенная зондовая установка для испытания транзисторов нового типа (здесь и ниже изображения Технологического института Джорджии).

Учёные получили кремниево-германиевый транзистор (SiGe), способный функционировать на частоте в 798 ГГц. Это приблизительно на 200 ГГц выше прежнего рекорда, зафиксированного для изделий данного класса. Достижение ещё на один шаг приближает ИТ-отрасль к переходу на терагерцевые микрочипы, работающие на частоте свыше 1 000 ГГц.

Экспериментальное изделие представляет собой биполярный гетеротранзистор: в структуру кремниевого транзистора на наноуровне внедрён сплав SiGe. Изделие изготовлено по технологии BiCMOS, предусматривающей использование биполярных и КМОП-транзисторов на одном кристалле. Производственные нормы — 130 нанометров.

Частоты на уровне 800 ГГц удалось достичь в специальной криогенной установке, в которой температура поддерживалась на отметке в 4,3 кельвина, или приблизительно минус 269 градусов Цельсия. При комнатной температуре удалось показать результат в 417 ГГц.

По словам исследователей, их достижение открывает путь к созданию транзисторов, функционирующих на рекордных частотах в обычных температурных условиях. А это значит, что в перспективе станет возможным создание качественно новых систем обработки и передачи информации на недостижимых сегодня скоростях.

Учёные также отмечают, что даже в текущем виде транзисторы нового типа могут найти практическое применение. К примеру, это может быть космическая аппаратура, рассчитанная на эксплуатацию в экстремальном холоде.

Результаты исследования опубликованы в журнале IEEE Electron Device Letters.

Читайте также о транзисторах на нанотрубках с рекордной энергоэффективностью, оптическом транзисторе на терагерцевом излучении и транзисторах на фосфорене.

Подготовлено по материалам Технологического института Джорджии.

Информация с сайта compulenta.computerra.ru.

Автор оригинального текста: Владимир Парамонов.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства