Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
UMC может присоединиться к альянсу Samsung и GlobalFoundries по освоению 14-нм норм - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
UMC может присоединиться к альянсу Samsung и GlobalFoundries по освоению 14-нм норм - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости международного рынка » UMC может присоединиться к альянсу Samsung и GlobalFoundries по освоению 14-нм норм

Новости международного рынка

24 апреля 2014

UMC может присоединиться к альянсу Samsung и GlobalFoundries по освоению 14-нм норм

Изображения с сайта www.3dnews.ru

Недавно GlobalFoundries заключила стратегическое соглашение с Samsung, в рамках которого лицензировала 14-нм нормы FinFET. Благодаря этому шагу клиенты обеих компаний смогут при необходимости без труда переносить свои заказы чипов с одних фабрик на другие. Ранее такой уровень синхронизации производственных норм не достигался между двумя разными компаниями: по сути 14-нм техпроцесс Samsung и GlobalFoundries будет одним и тем же.

Как сообщают информаторы тайваньского ресурса Digitimes, тесное сотрудничество Samsung и GlobalFoundries в деле разработки 14-нм норм FinFET должно позволить указанным компаниям более эффективно противостоять мощи огромной контрактной полупроводниковой кузницы — Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC).

Источники утверждают, что ещё один контрактный производитель, United Microelectronics Corporation (UMC), в нерешительности обдумывает вопрос по присоединению к альянсу Samsung Electronics и GlobalFoundries. Тайваньская UMC колеблется из-за того, что присоединение к альянсу потребует от компании значительных экономических затрат на лицензионные отчисления Samsung, так что сделка может оказаться в итоге невыгодной.

Между тем, Samsung утверждает, что применение ею трёхмерных транзисторов FinFET в 14-нм техпроцессе позволяет преодолеть ряд ограничений традиционных транзисторов и добиться 20%-го увеличения производительности, 35%-го снижения энергопотребления и на 15% более эффективного распределения площади кристалла по сравнению с 20-нм нормами.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.digitimes.com.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства