Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Новый тип «нанопористой» резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле размером с почтовую марку - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Новый тип «нанопористой» резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле размером с почтовую марку - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Новый тип «нанопористой» резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле размером с почтовую марку

Новости перспективных технологий

18 июля 2014

Новый тип «нанопористой» резистивной памяти позволит хранить терабайт данных на кристалле размером с почтовую марку

Изображения с сайта www.dailytechinfo.org

Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random-Access Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Хранение данных в ячейках резистивной памяти осуществляется за счет изменения сопротивления материала, а не электрического заряда. В состав структуры RRAM-ячейки входят два электрода, между которыми зажат слой особого диэлектрического материала, который меняет свое сопротивление в зависимости от полярности и значения электрического потенциала, приложенного к двум электродам. И основной проблемой, с которой сталкиваются исследователи, разрабатывающие различные типы RRAM-памяти, является поиск подходящего диэлектрического материала, свойства которого полностью удовлетворяют множеству жестких критериев.

Группа исследователей из университета Райс (Rice University), возглавляемая Джеймсом Туром (James Tour), занимаются проблемой RRAM-памяти с 2010 года. В качестве основного диэлектрического материала исследователи используют диоксид кремния (SiO2), и недавно им удалось совершить прорыв, разработав технологию формирования в слое диоксида кремния множества нанопор — токопроводящих нитей, которые выступают в роли отдельных ячеек RRAM-памяти, из которых можно сформировать высокоплотный массив памяти.

«Наша технология является одной из немногих технологий, полностью удовлетворяющих каждому из требований широкомасштабного производства энергонезависимой памяти следующего поколения, — рассказывает Джеймс Тур. — Процесс производства протекает при комнатной температуре, ячейки памяти имеют весьма низкое напряжение переключения и высокое соотношение значений сопротивления в различных состояниях. Ячейки не требуют расхода энергии при хранении информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку, обладают высокой надежностью и обеспечивают высокую скорость записи и чтения информации».

Ключевым моментом разработанной исследователями технологии является процесс изготовления тонкой пластины из пористого диоксида кремния, но не просто пористого, а имеющего упорядоченную структуру из этих пор. Имея в распоряжении такой материал, остается только нанести на его поверхность сетку из электродов, что делается достаточно просто, и такой подход позволяет избежать того, что так не любят делать все производители чипов — создавать вокруг границ массива ячеек памяти сложные схемы электронного управления.

На всем вышеперечисленном преимущества использования нанопористого диоксида кремния не заканчиваются. Ячейки памяти на основе нанопор выдерживают в 100 раз большее количество циклов записи-стирания, нежели ячейки памяти предыдущего варианта. Кроме этого, в каждой ячейке может храниться до девяти бит информации, что является самым большим показателем по отношению к другим типам памяти, включая и RRAM-память.

В настоящее время исследовательская группа работает над совершенствованием разработанной ими технологии в направлении ее ориентации на условия массового производства. Тем временем ведутся мероприятии по патентованию и разрабатывается план лицензирования технологии для компаний, занимающихся выпуском микросхем памяти, некоторые из которых уже проявили интерес к новому типу RRAM-памяти, разработанному исследователями из университета Райс.

Информация с сайта www.dailytechinfo.org со ссылкой на spectrum.ieee.org.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства