Новости перспективных технологий

EUV-литография придет в массы с 7-нм техпроцессом

Изображения с сайта www.3dnews.ru

Компания ASML, ведущий мировой разработчик технологического оборудования для литографии, в частности, проекционных установок шагового мультиплицирования, поделилась своими взглядами на развитие техпроцесса изготовления интегральных микросхем в ближайшем будущем. По её словам, до сих подавляющее большинство чипмейкеров при изготовлении 10-нм схем предпочитают использовать традиционную иммерсионную фотолитографию. Технология литографии с применением крайнего ультрафиолетового излучения уже который год постоянно откладывает свой приход на рынок. И для этого есть причины.

Главным фактором, который позволяет до сих пор применять иммерсионную фотолитографию, является относительно невысокая стоимость технологического оборудования и всего процесса в целом. Так, например, ориентировочная стоимость EUV-степперов составляет от $ 100 до $ 120 млн, что вдвое выше ценников на «иммерсионные» установки мультиплицирования. Справедливости ради стоит отметить, что EUV-оборудования является модульным, то есть позволяет совершать его апгрейд по невысокой цене, а не приобретать полностью новые установки. Но этого явно недостаточно для того, чтобы всерьез заинтересовать чипмейкеров, которым пока техпроцесс с использованием иммерсионной литографии пока обходится дешевле «экстремального ультрафиолета».

Принцип работы EUV-оборудования, источник Sandia National Laboratories.

Ситуация должна измениться уже с приходом в массы 7-нм технологического процесса. Но сначала производители интегральных микросхем опробуют возможности EUV-оборудования на 10-нм технологии. Топологический размер в 10 нанометров для наиболее ответственных операций литографии потребует неоднократного проецирования изображения на пластину — три или даже четыре повторения. Следовательно, возрастают расходы на проведение технологического процесса, что ведёт к удорожанию конечной продукции. Вот именно в этом случае чипмейкерам придется внимательнее присматриваться к EUV-литографии. Снижение себестоимости технологического процесса станет более существенным фактором, нежели высокие цены на оборудование.

Кремниевая пластина после EUV-литографии, источник Sandia National Laboratories.

Когда же дело дойдёт до производства 7-нм интегральных схем, тогда иммерсионная литография полностью станет нерентабельной. Для отдельных слоев количество итераций возрастёт до тринадцати при использовании иммерсионных степперов. Технологическое оборудование с применением крайнего ультрафиолета станет единственно возможным вариантом, позволяя выпускать до 1000 кремниевых пластин в сутки. Конечно, на пути победного шествия EUV-технологии ещё есть ряд препятствий, начиная от отсутствия достаточно надёжных и мощных источников излучения, заканчивая необходимостью радикального снижения дефектности фотошаблонов и необходимостью поиска новых резистов. Но в конечном итоге, технологические и технические трудности наверняка будут преодолены, и EUV-литография займет доминирующее положение на рынке. И точкой отсчета станет переход на 7-нм техпроцесс.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.eetimes.com.

Автор оригинального текста: Александр Бакаткин.