Новости компаний

Toshiba и SanDisk начнут массовое производство многослойной 3D V-NAND только в 2016 году

Изображение с сайта www.3dnews.ru

Компания SanDisk заявила, что начнёт массовое производства многослойной 3D V-NAND флеш-памяти совместно с Toshiba только в 2016 году, то есть через три года после начала массового производства 3D V-NAND компанией Samsung Electronics. Таким образом, у последней будет серьезное преимущество перед конкурентами ещё несколько кварталов подряд.

«Разработка нашей 3D NAND технологии прогрессирует. Мы планируем запустить опытное производство во второй половине 2015 года и намереваемся начать промышленное производство в 2016 году», — сказал Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), исполнительный директор компании SanDisk, в ходе телефонной конференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.

Многослойная 3D V-NAND флеш-память компонует до 32 слоёв NAND в одном кристалле. Подобный подход позволяет увеличить ёмкость чипов без уменьшения размеров индивидуальных ячеек памяти. Таким образом, отпадает необходимость применения новейших технологий производства полупроводников.

Как известно, при использовании сверхтонких норм производства уменьшается производительность и надёжность NAND флеш-памяти. Поскольку 3D V-NAND память не требует наиболее современных норм производства для увеличения ёмкости, то компания Samsung использует для своих 3D V-NAND чипов отлаженный 42-нм технологический процесс. Это увеличивает надёжность и производительность чипов флеш-памяти по сравнению с решениями, произведёнными по 19-нм технологии.

NAND флеш память Toshiba, произведённая по технологии 15 нм.

Компания Samsung массово производит 3D V-NAND память с 2013 года. Использование подобной памяти позволяет компании предлагать клиентам недорогие высокопроизводительные SSD. Поскольку SanDisk и Toshiba не начнут массового производства 3D V-NAND ещё минимум полтора года, Samsung будет продолжать иметь в своём арсенале серьезное конкурентное преимущество.

В ближайших планах компании SanDisk начать поставки решений на базе NAND флеш-памяти, произведённой по технологии 15 нм. Хотя тонкая «плоская» технология позволит удешевить производство памяти, многослойная память Samsung будет всё равно дешевле в пересчёте на стоимость одного бита. К тому же 15-нм память будет менее производительна и менее надёжна, чем 3D V-NAND. Тем не менее, руководитель SanDisk утверждает, что NAND-память от SanDisk/Toshiba, произведённая по нормам 15 нм, — самая дешёвая флеш-память в индустрии.

«Мы планируем начать поставки 15-нм памяти в этом квартале, производство в значительных количествах начнётся в первом квартале 2015 года», — заявил господин Мехротра. «Мы считаем, что MLC и TLC память, произведённая по 15-нм техпроцессу, будет самой дешёвой в индустрии. Новая память позволит создавать решения для самых разных сегментов рынка, от потребительских до нацеленных на предприятия».

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на SanDisk Corporation.

Автор оригинального текста: Антон Тестов.