Новости перспективных технологий

Intel и Micron увеличили плотность записи данных

На фото: новый NAND-чип на базе 34-нм техпроцесс. Источник: www.cnews.ru.

Компании Intel и Micron Technology сообщили о разработке первого в индустрии NAND-чипа с топологическим уровнем менее 40 нм. Созданная компаниями 34-нм микросхема памяти с многоуровневой структурой ячеек вмещает 32 Гбит данных, то есть 4 ГБ. Чип был изготовлен Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием компаний Intel и Micron Technology. «Данный 32-гигабитный чип предлагает самую высокую плотность данных на рынке», - комментирует президент Micron Memory Group Брайан Ширли (Brian Shirley).

Новые чипы памяти будут изготавливаться на 300-нм подложках. На одной такой подложке поместится столько чипов, сколько необходимо для хранения 200 ГБ данных. Разработка позволит, в частности, создавать более емкие SSD-накопители, например, 1,8-дюймовые, которые будут вмещать более 256 ГБ информации.

Массовое производство новых чипов планируется начать во II половине 2008 г., а поставки тестовых образцов - уже в следующем месяце.

Информация с сайта www.cnews.ru.