Новости компаний

ASML располагает технологиями, ориентированными на выпуск 3-нм полупроводников

Изображения с сайта www.3dnews.ru

Недавняя встреча руководства нидерландской компании ASML с инвесторами показала, что производитель оборудования для полупроводниковой литографии полон оптимизма. В компании уверены, что к 2020 году годовая выручка ASML удвоится и даже утроится, достигнув к концу текущего десятилетия 12 млрд долларов США. Это означает, что спрос на проекционные сканеры ASML будет, что называется, зашкаливать. Сканеры для проекции в экстремальном ультрафиолете (EUV) с длиной волны порядка 13 нм будут расходиться как горячие пирожки зимой: по 50—60 установок в год.

В настоящий момент, как уже сообщалось, компания располагает предсерийными образцами EUV-сканеров NXE:3300B, которые постепенно будут модернизированы до моделей NXE:3350B. На встрече с инвесторами ASML призналась, что два сканера NXE:3300B уже отправлены тайваньской компании TSMC, а два сканера NXE:3350B будут отгружены в 2015 году. Также в 2015 году обе поставленные установки NXE:3300B будут модернизированы до уровня NXE:3350B.

Передовые EUV-сканеры компании ASML уже споcобны обрабатывать до 1000 пластин в сутки

Модернизация сканеров главным образом будет состоять в замене источников излучения на более мощные. В базовой поставке сканеры NXE:3300B оборудованы источником излучения 80 Вт. С такой мощностью сканер может обработать за сутки до 500 пластин диаметром 300 мм. В следующем году мощность источников излучения будет доведена до 125 Вт — это порядка 1000 пластин в сутки. Наконец, в 2016 году мощность источников излучения достигнет отметки в 250 Вт, что позволит приблизиться к коммерчески выгодной производительности в 1500 пластин в сутки. Тем самым, например, четыре EUV-сканера TSMC способны будут обрабатывать по 180 тыс пластин в месяц.

В компании ASML рассчитывают, что EUV-сканеры заинтересуют всех производителей полупроводников: логики, процессоров, оперативной и энергонезависимой памяти. Переход на 13-нм проекцию позволит значительно снизить затраты на производство, поскольку образ кристалла может быть перенесён на пластину за один проход, тогда как в противном случае для критически важных слоёв проекция с использованием 197-нм сканеров будет требовать свыше десятка проходов (фотошаблонов).

Примерные сроки перехода на EUV-проекцию для произвольного типа полупроводниковых приборов

Отметим, компания Intel не боится использовать для выпуска 10-нм процессоров старое оборудование и не намерена покупать для выпуска таких решений EUV-сканеры. Более того, даже для выпуска 7-нм решений Intel собирается использовать 197-нм сканеры. Компания TSMC, хотя она активно закупает EUV-сканеры, также планирует приступить к выпуску 10-нм решений с помощью старого оборудования и лишь затем перейти на проекцию с использованием жёсткого ультрафиолета. Из этого, кстати, следует, что все четыре сканера TSMC, о которых мы говорили выше, начнут свою коммерческую деятельность с обработки пластин с использованием 16-нм техпроцесса, но уже через год наверняка будут переведены на выпуск 10-нм решений, а ещё через два-четыре года — на 5-нм и 3-нм.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на ComputerBase.de.

Автор оригинального текста: Геннадий Детинич.