Новости компаний
20 января 2015
TSMC переносит массовое производство 16-нм FinFET на третий квартал 2015 года
Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на KitGuru.net.
Автор оригинального текста: Алексей Степин.
Изображения с сайта www.3dnews.ru
Один из крупнейших контрактных производителей микроэлектроники, компания TSMC прояснила сроки, в которые она планирует начать массовое производство чипов с использованием техпроцесса 16-нм FinFET. К сожалению, речь идёт о ещё одной задержке, на месяца или два, до наступления третьего квартала 2015 года. В октябре TSMC уже заявляла о сдвигах сроков начала массового использования новых техпроцессов с начала второго квартала на начало третьего.
Теперь речь идёт о «каком-то временном промежутке в третьем квартале», что вновь означает задержку, хотя и не слишком большую. Как заявила финансовый директор корпорации Лора Хо (Lora Ho), компания «планирует начать массовое производство чипов по технологии 16-нм FinFET в третьем квартале 2015 года». Но, по её мнению, для того, чтобы новый техпроцесс начал приносить прибыль, компании потребуется около 7 кварталов. В этом году планируется выпуск 50 различных дизайнов микросхем с использованием процесса 16-нм FinFET.
Техпроцессы TSMC 16-нм FinFET и 16-нм FinFET Plus базируются на технологии межблочных соединений BEOL (back-end-of-line), применяемой в техпроцессе 20-нм SOC, но в отличие от него, используют транзисторы типа FinFET вместо обычных планарных. Это даёт выигрыши в уровне энергопотребления и производительности, но не позволяет сильно уменьшить размеры кристаллов в сравнении с процессом 20-нм SOC. Зато использование технологии BEOL упростит процесс запуска новых техпроцессов 16FF и 16FF+. Пока не ясно, как задержка с первым повлияет на сроки внедрения второго.
Что касается капитальных расходов, то TSMC планирует потратить в 2015 году примерно 11,5—12 миллиардов долларов США, причём 80 % из этих сумм будут потрачены на разработку 10-нанометрового и более тонких техпроцессов, оборудование для производства чипов по 16- и 20-нанометровым техпроцессам, а также на другие высокотехнологичные устройства и приложения.
|