Новости перспективных технологий

Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на MIT Technology Review.

Автор оригинального текста: Сергей Карасёв.

Изображения с сайта www.3dnews.ru

Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.

Monty Rakusen/cultura/Corbis

Силицен — это двумерное соединение кремния, подобное графену. Несмотря на потенциальную совместимость с существующей полупроводниковой техникой, получение элементов на основе силицена представляет собой крайне трудоёмкий процесс из-за сложности и нестабильности материала при воздействии воздуха.

Для получения силиценовых транзисторов толщиной в один атом американские учёные разработали новую методику. На первом этапе в вакуумной камере было осуществлено осаждение атомов кремния из разогретого пара с формированием на серебряной плёнке силиценового слоя. Далее поверх него исследователи нанесли нанометровый слой оксида алюминия. После этого полученную структуру удалось перенести на кремниевую подложку, расположив серебряной плёнкой вверх. Наконец, на заключительном этапе путём высокоточного скобления серебряной плёнки учёные смогли сформировать транзисторы.

Разумеется, пока говорить о практическом использовании силиценовых транзисторов рано, но исследователи намерены продолжить свои изыскания. Не исключено, что в перспективе результаты работы помогут в создании сверхбыстрых и экономичных компьютерных чипов.