Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Осенью 2016 года Micron запустит новые цеха для выпуска 3D NAND-флеш - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Осенью 2016 года Micron запустит новые цеха для выпуска 3D NAND-флеш - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости компаний » Осенью 2016 года Micron запустит новые цеха для выпуска 3D NAND-флеш

Новости компаний

13 марта 2015

Осенью 2016 года Micron запустит новые цеха для выпуска 3D NAND-флеш

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на Micron Technology.

Автор оригинального текста: Геннадий Детинич.

Изображения с сайта www.3dnews.ru

На днях руководство компании Micron Technology провело торжественную церемонию, посвящённую старту строительства новых цехов для выпуска флеш-памяти. Речь идёт о расширении мощностей на одном из сингапурских предприятий компании. На проект уже затрачено 50 млн долларов США. Эти деньги пошли на разработку проекта и другие подготовительные работы. Начиная с сентября этого года в дело будет пущено порядка 4 млрд долларов.

Новые цеха должны заработать в период с сентября 2016 года до конца августа 2017 года (иначе говоря, в 2017 финансовом году, который на четыре месяца опережает календарный год). Что важно, на новых площадях будет установлено производственное оборудование для выпуска так называемой 3D NAND-флеш памяти, а площади запланированы там немалые — аж 23,6 тыс. квадратных метров. Компания Micron отстаёт от компании Samsung по технологичности производства NAND-флеш, поэтому ей необходимо активно догонять конкурента.

Компания Samsung, напомним, весной этого года приступила к выпуску второго поколения памяти 3D V-NAND. Даже если Micron начнёт в каком-то товарном объёме выпускать память 3D NAND осенью 2015 года, на что намекнула компания Intel, она запаздывает минимум на два года. Если же основная массовка пойдёт только осенью 2016 года (с учётом анонсированного расширения сингапурских мощностей Micron), то лаг будет просто неприличным. Компания Samsung тоже ведь не сидит на месте. Сегодня она выпускает 32-слойную 128-Гбит 3D V-NAND TLC, но собирается до конца года освоить производство 256-Гбит микросхем энергонезависимой памяти.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства