Новости практической технологии

20-нм DRAM-память SK hynix появится во втором полугодии

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.cdrinfo.com.

Автор оригинального текста: Александр Будик.

Фото с сайта www.3dnews.ru

Южнокорейский полупроводниковый гигант, компания SK Hynix, уже в текущем году планирует запустить серийное производство микросхем оперативной памяти типа DRAM с использованием 20-нм техпроцесса. Как уточнил глава компании Сань-вук Парк (Sung-wook Park) после собрания акционеров, старт производства начнётся во втором полугодии, ближе к его началу.

20-нм DRAM-чипы будут характеризоваться на 30% более высокой производительностью по сравнению с 25-нм предшественниками. По сравнению с 28-нм чипами прирост составляет более 50%. Также переход на более тонкий техпроцесс позволит повысить энергоэффективность чипов и их плотность, благодаря чему можно будет выпускать более ёмкие микросхемы.

Напомним, что компания SK hynix входит в тройку лидеров отрасли. Первое место уже многие годы удерживает Samsung Electronics, а за второе и третье места борются между собой SK hynix и Micron. Samsung является лидером не только по фактическому охвату рынка, но и по технологическому уровню. Она ещё в 2013 году выпустила первую серию 20-нм DRAM-чипов для мобильного сегмента.