Новости перспективных технологий

Новая технология позволит оснащать ноутбуки десятками терабайт памяти

Американский производитель памяти Micron Technology объявил о прорыве в области конструирования и производства флэш-памяти типа 3D NAND, который позволит оснащать ноутбуки накопителями емкостью свыше 10 ТБ.

Новая технология, разработанная при участии инженеров из Intel, подразумевает использование большого количества слоев ячеек, наложенных друг на друга. Партнеры смогли расположить таким образом 32 слоя и, используя технологию хранения двух битов данных в одной ячейке, получить чип емкостью 32 ГБ, и технологию хранения трех битов данных в одной ячейке — чип емкостью 48 ГБ.

Чтобы при использовании большого количества слоев не снизились качество производства и надежность работы памяти, инженеры Micron в партнерстве с Intel воспользовались ячейками с плавающим затвором. Такие ячейки получили распространение во флэш-памяти с планарной структурой и до этого ни разу не использовались в 3D NAND.

Тестовые образцы новых чипов емкостью 32 ГБ партнеры уже начали поставлять заказчикам. К поставкам тестовых образцов чипов емкостью 48 ГБ они планируют приступить до конца весны 2015 г. К серийному выпуску и тех, и других чипов компании планируют приступить в IV квартале 2015 г.

В Micron ожидают, что первые продукты на рынке на базе новых чипов появятся в 2016 г.

По информации с сайта www.cnews.ru

Полный текст находится по ссылке

Автор оригинального текста: Сергей Попсулин