Новости практической технологии

Imec и SPTS Technologies проводят совместные работы в области критических процессов штабелирования пластин 3D ИМС

Исследовательский центр по наноэлектронике imec и компания SPTS Technologies, входящая в состав Orbotech, сообщили на выставке SEMICON West, что они выполняют совместную разработку высокоточных процессов с коротким циклом для сухого удаления кремния и низкотемпературной пассивации при выполнении переходных отверстий в кремнии (TSV) (процесс «отверстия в середине»), а также утонения верхних пластин при присоединении пластины к пластине.

Обработка пластин с нижней стороны очень важна при штабелировании пластин в ИМС с 3D-компановкой. Современные структуры TSV, выполняемые с применением процесса «отверстия в середине» (via-middle), обычно требуют, чтобы нижняя сторона 300-мм пластины подвергалась ряду процессов механической шлифовки и мокрого или сухого травления. Затем плазмохимическим осаждением из паровой фазы наносятся диэлектрические слои с целью пассивации и обеспечения механической опоры для вскрытых структур TSV перед формированием столбиковых выводов или перераспределения выводов, после чего следует присоединение кристалла к пластине или пластины к пластине.

Для создания промышленно целесообразной технологии 3D ИМС процесс формирования переходных отверстий требует травления с более коротким циклом. Кроме того, из-за накопления неоднородностей, образуемых при выполнении процессов травления TSV с верхней стороны, присоединения и шлифовки, остаточная толщина кремния над концами отверстий может варьироваться в пределах нескольких микрон. Поэтому для достижения необходимой точности и однородности пластин существенную роль играет высокоизбирательный процесс для утонения подслоев отверстий и сглаживания поверхностей после травления.

Центр Imec и компания SPTS разрабатывают решение для сухого травления, обладающее свойством определения завершения процесса. Это обеспечивает выполнение контролируемой и очень точной обработки. Процесс достигает необходимой высоты отверстия, позволяя избежать длительных и многочисленных операций доработки, тем самым минимизируя общую стоимость пластины. Первые результаты компаний показали, что при высоте перехода 1,57 мкм может быть обеспечена управляемость в пределах диапазона 300 нм.

Также imec и SPTS будут работать над структурами диэлектрических пассивированных слоев плазмохимического осаждения из паровой фазы, включающих слои SiO и SiN, осаждаемые при температурах ниже 200°C. Пленки будут разрабатываться так, чтобы достигались оптимальные электрические характеристики изделий и минимизировалось коробление тонких кристаллов после разъединения.

В данной совместной работе будет применяться система Versalis fxP компании SPTS, представляющая собой платформу с модулями травления и осаждения диэлектрических слоев, которая будет установлена в линию центра imec по обработке 300-мм пластин в 3 квартале 2015 года.

Среди ключевых партнеров imec в исследованиях в области 3D ИМС такие компании, как GLOBALFOUNDRIES, INTEL, Micron, Panasonic, Samsung, SK Hynix, Sony и TSMC.

По информации с сайта www.orbotech.com