Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Иммерсия станет будущим DRAM-рынка - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Иммерсия станет будущим DRAM-рынка - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Иммерсия станет будущим DRAM-рынка

Новости перспективных технологий

15 июля 2008

Иммерсия станет будущим DRAM-рынка

В индустрии DRAM (динамической оперативной памяти) традиционная технология сухой литографии с применением фторида аргона (ArF) все еще остается основным инструментом их производства с пределом в 65 нм. Это подразумевает, что для использования элементов меньших размеров требуется другая технология.

Иммерсионный метод использует воду для замены воздуха в качестве среды между литографическими линзами и поверхностью подложки для нанесения рисунка микросхемы. Вода обеспечивает больший коэффициент преломления, меньшее значение ширины линии, снижая физические ограничения. Эта технология, по данным DRAMeXchange, потребует больших капиталовложений, особенно для покупки дорогого иммерсионного оборудования.

Сокращение технологического процесса изготовления узла — наиболее эффективный путь снижения производственных затрат. Технологические лидеры рынка DRAM перешли на 70 нм. Однако традиционная сухая литография имеет физические ограничения на уровне 65 нм, поэтому у них нет других альтернатив кроме иммерсионных инструментов для сохранения господствующего положения на рынке. При этом кто раньше совершит переход на новую технологию, тот и выиграет больше в дальнейшем, считают аналитики.

ASML, Canon и Nikon являются главными поставщиками иммерсионного оборудования. ASML, на данный момент, отправила более 70 наборов, большая часть которых предназначена для производителей системной логики. Ключевыми являются модели ASML Twinscan XT1700i и XT1900Gi. Модель XT1900Gi способна обеспечить техпроцесс менее 40 нм и была отправлена более 10 покупателям с третьего квартала 2008. Nikon начал поставки NSR-S609B для 55-нм и 45-нм техпроцесса с 2006 года. Отгрузки NSR-S610C для 45 нм совершаются с 2007 года.

Кроме сокращения технологического процесса, прорыв в DRAM-технологии может быть совершен путем применения меди. На данный момент, вместо меди используют алюминий, использование меди ускорит производство на 40%, снизит затраты на 30% и сделает на 30% более тонкой ширину линии. Micron уже работает над внедрением меди в производство DRAM и вместе с другими производителями стремится продвинуть эту технологию.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на techon.nikkeibp.co.jp.

Автор оригинального текста: Андрей Горьев.




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства