Новости компаний

В Росэлектронике разработали системы освещения на диодных лазерах

Инженеры холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработали системы освещения, основанные на использовании лазерного излучения и удаленного люминофора. Разработка исключает опасность возникновения пожара или взрыва из-за возникновения искры при включении электропитания и способна работать в агрессивных средах, а также под водой.

Системы, проектируемые входящим в холдинг АО «Оптрон» (Москва), построены на базе синих лазеров (диапазон длин волн излучения 440-470 нм) собственной разработки, изготовленных на основе III-N гетероструктур (нитриды металлов III группы, - алюминий, галлий, индий). Осветительные устройства обладают высокой световой отдачей - до 100 лм/Вт и световым потоком – до 2000 лм.

Инженеры «Оптрона» разработали также волоконно-оптические модули, предназначенные для организации систем передачи данных по открытому каналу, а также для систем лазерной подсветки наземных целей.

Светотехническая продукция на основе диодных лазеров имеет различные конструктивные решения для внутреннего и внешнего освещения бытовых помещений и инфраструктурных объектов, в том числе, опасных, например, химических производств, атомных станций и шахт. Кроме того, спроектированы специальные конструкции для разметки дорог, мостов и тоннелей, а также организации освещения на судах и подводных лодках.

Также АО «Оптрон» разработало диодные лазеры, излучающие в разных диапазонах длин волн: 630-690 нм (до 1Вт CW), 805-865 нм, 940-980 нм, 1030-1064 нм (до 2Вт CW).

Системы освещения на диодных лазерах будут представлены на выставке «Фотоника-2017», которая пройдет с 28 февраля по 3 марта в московском «Экспоцентре». Объединенная экспозиция Росэлектроники – павильон 7, зал 4, стенд 74В20.

Диодные лазеры характеризуются спектральным диапазоном, в котором они излучают. Так, синие лазеры действуют в диапазоне 440-470 нм, зеленые - 520-570 нм, красные - 630-690 нм, 760-790 нм. Если у диодного лазера длина волны генерации больше 790 нм, он относится к инфракрасной области спектра. Длина волны излучения характеризуется шириной запрещенной зоны активной области диодного лазера, которая в свою очередь определяется составом материала полупроводникового прибора.

Информация с сайта www.ruselectronics.ru.