Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Специалисты АО «Ангстрем» разработали силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Специалисты АО «Ангстрем» разработали силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости компаний » Специалисты АО «Ангстрем» разработали силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования

Новости компаний

27 января 2017

Специалисты АО «Ангстрем» разработали силовые транзисторы для отечественного медицинского оборудования

АО «Ангстрем» совместно с ООО «Альтомедика» испытало макетные образцы внешних дефибрилляторов, которые изготовлены с использованием российской микроэлектроники. Высоковольтные IGBT-транзисторы производства «Ангстрем» показали отличные результаты в работе медицинского оборудования. Они успешно прошли все испытания и получили хорошие отзывы от производителей медтехники.

В рамках программы импортозамещения «Ангстрем» начал совместные работы с компанией ООО «Альтомедика», производителем медицинской техники, по замещению импортных комплектующих в медицинском оборудовании. Для оценки возможности использования транзисторов производства АО «Ангстрем» был разработан макетный образец, который проходил испытания в режиме работы дефибриллятора.

По итогам испытаний высоковольтные IGBT-транзисторы с напряжением 3300В получили хорошие отзывы от разработчиков компании ООО «Альтомедика» и были признаны перспективными для использования в схеме разрабатываемого автоматического внешнего дефибриллятора. Также было отмечено, что ангстремовские транзисторы по своим характеристикам не уступают, а по некоторым даже превосходят зарубежные аналоги. Работы по аттестации других медицинских приборов с использованием микросхем производства АО «Ангстрем» продолжаются.

АО «Ангстрем» является единственным в России производителем бескорпусных NPT+ IGBT-транзисторов на напряжения от 600 до 6000В. NPT+ IGBT-транзисторы обладают малым зарядом затвора, малыми потерями на переключение и низким напряжением насыщения.

Все эти характеристики позволяют использовать отечественные транзисторы для решения огромного спектра задач. Область применения этих IGBT-транзисторов очень велика. Они могут быть задействованы как в производстве дискретных полупроводниковых приборов и силовых модулей, в солнечной и ветряной энергетике, так и в медицинском оборудовании.

По информации с сайта www.angstrem.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства