Информационный портал по технологиям производства электроники
Российские и индийские ученые объединились для создания аккумуляторов нового типа - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Авторизация


Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Российские и индийские ученые объединились для создания аккумуляторов нового типа

Новости перспективных технологий

22 февраля 2017

Российские и индийские ученые объединились для создания аккумуляторов нового типа

В середине февраля 2017 года ученые Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого и Мадрасского университета (Индия) получили поддержку Российского фонда фундаментальных исследований для реализации проекта по созданию новых материалов для накопителей электрической энергии конденсаторного типа. Проект рассчитан на три года.

Хранение электрической энергии в устройствах конденсаторного типа является одним из наиболее перспективных подходов в условиях, когда необходима быстрая, в частности импульсная, отдача заряда. Такие устройства должны сохранять свою функциональность при существенном повышении температуры, сопряженном с сильными токами. Целью проекта является выработка подходов к созданию новых диэлектрических материалов для повышения эффективности аккумуляторов  конденсаторного типа в широком температурном диапазоне.

Исследователи сосредоточили внимание на новых материалах, основанных на антисегнетоэлектриках. Основная идея, стоящая за применением таких материалов вместо широко используемых аналогов, состоит в существенно ином механизме работы.

Принципиальная новизна подхода, который  предлагают ученые, заключается в совместном изучении свойств антисегнетоэлектрических материалов как в виде монокристаллов, что позволяет применять наиболее информативные экспериментальные методики, так и в форме керамик, имеющих непосредственное практическое значение.

«Возможность изучать монокристаллические антисегнетоэлектрики появилась только в последние несколько лет с развитием методов роста такого типа кристаллов. Совместное влияние давления и температуры будет изучено методами рентгеновского рассеяния с использованием резистивно-нагреваемых алмазных наковален. Ранее такой подход не применялся. Методы рентгеновского рассеяния будут применены как с использованием лабораторных дифрактометров, так и с помощью экспериментальных установок синхротронных источников ESRF (Франция) и CAT (Индия)», – отмечает заведующий кафедрой «Физическая электроника» Института физики, нанотехнологий и телекоммуникаций СПбПУ Алексей Филимонов.

Информация предоставлена Медиа-центром СПбПУ.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Новое на форуме

Re: В продаже полуавтомат EXPERT
Re: Сколько раз можно перепаивать BGA
Продам Quadra TWS Basic
Внутрисхемное тестирование на установке SPEA 4060 в А-КОНТРАКТ!

Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2018.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства