Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новые компоненты и конструкторские решения » Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

Новые компоненты и конструкторские решения

17 мая 2017

Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

Компания Infineon Technologies представила новую технологию корпусирования TRENCHSTOPTM Advanced Isolation. Она доступна для IGBT транзисторов TRENCHSTOP и  TRENCHSTOP Highspeed 3 и обеспечивает лучшие в своем классе тепловые характеристик и удешевление производства. Обе версии оптимизированы по характеристикам для замены полностью изолированных дискретных корпусов FullPAK, а так же стандартных TO-247 c изоляцией посредством пленочных изоляционных материалов (теплопроводящих прокладок).  Области применения новых корпусов включают в себя схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах воздуха, бесперебойные источники питания (UPS) и конверторы мощности для приводов.

Широко распространенные дискретные корпуса, такие как FullPAKs или стандартные TO корпуса, используемые с изоляционным материалом для установки на радиатор, дороги и трудоемки при монтаже в процессе производства. Кроме того они имеют ограничения по рассеиванию тепла, необходимого мощным IGBT транзисторам последнего поколения. Корпуса TRENCHSTOP Advanced Isolation с тем же посадочным размером, что и стандартный TO-247, - изолированы на 100%, при этом в них не используются изоляционные пленки или теплопроводная паста. Благодаря эффективной и однородной тепловой связи между IGBT кристаллом и теплоотводом, новые корпуса обладают большей мощностью рассеивания. Это повышает надежность и уменьшает стоимость разработки и производства.

Транзисторы в корпусах TRENCHSTOP Advanced Isolation будут доступны в 3 квартале 2017 года. Образцы будут доступны в июле.

Ассортимент включает в себя IGBT транзисторы с токами от 40 до 90А с рабочим напряжением 600В.

Технология TRENCHSTOP Advanced Isolation будет представлена на выставке PCIM 2017.

Основные характеристики и преимущества приводятся в полном тексте новости компании ЭФО.

Информация с сайта www.efo-power.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства