Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта


Продвижение продукции, услуг и решений Реклама на портале
Подготовка технических и аналитических материалов, обзоры, информационный мониторинг Информационные услуги
Профессиональный перевод технических материалов: статей, инструкций, руководств, стандартов и проч. Технический перевод
Подписка на новости Подписаться на новости



Авторизация


Главная » Новости » Новые компоненты и конструкторские решения » Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

Новые компоненты и конструкторские решения

17 мая 2017

Новая технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation для дискретных IGBT транзисторов

Компания Infineon Technologies представила новую технологию корпусирования TRENCHSTOPTM Advanced Isolation. Она доступна для IGBT транзисторов TRENCHSTOP и  TRENCHSTOP Highspeed 3 и обеспечивает лучшие в своем классе тепловые характеристик и удешевление производства. Обе версии оптимизированы по характеристикам для замены полностью изолированных дискретных корпусов FullPAK, а так же стандартных TO-247 c изоляцией посредством пленочных изоляционных материалов (теплопроводящих прокладок).  Области применения новых корпусов включают в себя схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах воздуха, бесперебойные источники питания (UPS) и конверторы мощности для приводов.

Широко распространенные дискретные корпуса, такие как FullPAKs или стандартные TO корпуса, используемые с изоляционным материалом для установки на радиатор, дороги и трудоемки при монтаже в процессе производства. Кроме того они имеют ограничения по рассеиванию тепла, необходимого мощным IGBT транзисторам последнего поколения. Корпуса TRENCHSTOP Advanced Isolation с тем же посадочным размером, что и стандартный TO-247, - изолированы на 100%, при этом в них не используются изоляционные пленки или теплопроводная паста. Благодаря эффективной и однородной тепловой связи между IGBT кристаллом и теплоотводом, новые корпуса обладают большей мощностью рассеивания. Это повышает надежность и уменьшает стоимость разработки и производства.

Транзисторы в корпусах TRENCHSTOP Advanced Isolation будут доступны в 3 квартале 2017 года. Образцы будут доступны в июле.

Ассортимент включает в себя IGBT транзисторы с токами от 40 до 90А с рабочим напряжением 600В.

Технология TRENCHSTOP Advanced Isolation будет представлена на выставке PCIM 2017.

Основные характеристики и преимущества приводятся в полном тексте новости компании ЭФО.

Информация с сайта www.efo-power.ru.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Новое на форуме

Тест на способность человека
Re: Продам оборудование селективной пайки
Купим установщик компонентов MG-1R(YG-100R) и рамку Z4P
Монтаж BGA, QFN и мелочовки 0402.

Последние новости

Каталоги компании Ingun теперь доступны в телефоне в офлайн режиме
подробнее
АФАР Росэлектроники способны повторять форму объекта-носителя
подробнее
3D моделирование соединителей Amphenol RF
подробнее
Компания Altway впервые на «ЭкспоЭлектронике»
подробнее
Осциллографы Tektronix TBS2000 включены в Государственный реестр
подробнее
Компании «ПриСТ» и «РОДЕ и ШВАРЦ РУС» подписали дистрибьюторское соглашение о продаже приборов, входящих в группу Value Instruments
подробнее
Компания «Авантех» единственный официальный дистрибьютер паяльных материалов AIM Solder в России
подробнее
© “Элинформ” 2007-2017.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства