Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Авторизация

Главная » Новости » Новости практической технологии » Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Новости практической технологии

20 июня 2017

Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Специалистами НПК «Микроэлектроника» компании «Микран» разработана и внедрена перспективная конструкция ввода/вывода сигнала для бескорпусных СВЧ микросхем.

Новая конструкция позволит достичь согласования микросхемы с подводящим трактом по СВЧ сигналу в сверхширокой полосе частот, а также использовать при сборке технологию поверхностного монтажа.
 
СВЧ микросхемы с такой конструкцией ввода/вывода сигнала могут быть рекомендованы для применений, где требуются:

  • отличное согласование в сверхширокой полосе частот (КСВН не превышает 1,4 в диапазоне частот от 0 до 55 ГГц);
  • высокая воспроизводимость параметров;
  • поверхностный монтаж без использования процессов разварки проволочек.


Рисунок 1 – Способ передачи сигнала между микросхемой и платой с использованием сквозных металлизированных отверстий.
 
Передача в микросхему всех сигналов, как низкочастотных, так и высокочастотных, осуществляется через сквозные металлизированные отверстия (рис.1). В этом заключается основное отличие от классической конструкции СВЧ микросхем, в которой металлизация обратной стороны кристалла используется только в качестве экрана и общего вывода.
 
Пример СВЧ микросхемы с вводом/выводом СВЧ и НЧ сигналов через сквозные металлизированные отверстия представлен на рис.2.
 
  
Рисунок 2 – Лицевая и обратная стороны кристалла детектора проходящей мощности MD912B.
 
Для получения такой конструкции ввода/вывода сигнала в металлизации обратной стороны кристалла формируется дополнительный топологический рисунок. При этом контактные площадки на обратной стороне кристалла надежно изолированы друг от друга: сопротивление между соседними площадками составляет более 50 МОм, а пробивное напряжение превышает 100 В.

Разработанная конструкция может быть интегрирована в микросхемы, выполненные по любой из существующих технологий изготовления СВЧ МИС компании «Микран».

Информация с сайта www.micran.ru.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2018.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства