Новости практической технологии

Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Специалистами НПК «Микроэлектроника» компании «Микран» разработана и внедрена перспективная конструкция ввода/вывода сигнала для бескорпусных СВЧ микросхем.

Новая конструкция позволит достичь согласования микросхемы с подводящим трактом по СВЧ сигналу в сверхширокой полосе частот, а также использовать при сборке технологию поверхностного монтажа.
 
СВЧ микросхемы с такой конструкцией ввода/вывода сигнала могут быть рекомендованы для применений, где требуются:

• отличное согласование в сверхширокой полосе частот (КСВН не превышает 1,4 в диапазоне частот от 0 до 55 ГГц);
• высокая воспроизводимость параметров;
• поверхностный монтаж без использования процессов разварки проволочек.

Рисунок 1 – Способ передачи сигнала между микросхемой и платой с использованием сквозных металлизированных отверстий.
 
Передача в микросхему всех сигналов, как низкочастотных, так и высокочастотных, осуществляется через сквозные металлизированные отверстия (рис.1). В этом заключается основное отличие от классической конструкции СВЧ микросхем, в которой металлизация обратной стороны кристалла используется только в качестве экрана и общего вывода.
 
Пример СВЧ микросхемы с вводом/выводом СВЧ и НЧ сигналов через сквозные металлизированные отверстия представлен на рис.2.
 
  
Рисунок 2 – Лицевая и обратная стороны кристалла детектора проходящей мощности MD912B.
 
Для получения такой конструкции ввода/вывода сигнала в металлизации обратной стороны кристалла формируется дополнительный топологический рисунок. При этом контактные площадки на обратной стороне кристалла надежно изолированы друг от друга: сопротивление между соседними площадками составляет более 50 МОм, а пробивное напряжение превышает 100 В.

Разработанная конструкция может быть интегрирована в микросхемы, выполненные по любой из существующих технологий изготовления СВЧ МИС компании «Микран».

Информация с сайта www.micran.ru.