Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта


Продвижение продукции, услуг и решений Реклама на портале
Подготовка технических и аналитических материалов, обзоры, информационный мониторинг Информационные услуги
Профессиональный перевод технических материалов: статей, инструкций, руководств, стандартов и проч. Технический перевод
Подписка на новости Подписаться на новости



Авторизация


Главная » Новости » Новости практической технологии » Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Новости практической технологии

20 июня 2017

Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Специалистами НПК «Микроэлектроника» компании «Микран» разработана и внедрена перспективная конструкция ввода/вывода сигнала для бескорпусных СВЧ микросхем.

Новая конструкция позволит достичь согласования микросхемы с подводящим трактом по СВЧ сигналу в сверхширокой полосе частот, а также использовать при сборке технологию поверхностного монтажа.
 
СВЧ микросхемы с такой конструкцией ввода/вывода сигнала могут быть рекомендованы для применений, где требуются:

  • отличное согласование в сверхширокой полосе частот (КСВН не превышает 1,4 в диапазоне частот от 0 до 55 ГГц);
  • высокая воспроизводимость параметров;
  • поверхностный монтаж без использования процессов разварки проволочек.


Рисунок 1 – Способ передачи сигнала между микросхемой и платой с использованием сквозных металлизированных отверстий.
 
Передача в микросхему всех сигналов, как низкочастотных, так и высокочастотных, осуществляется через сквозные металлизированные отверстия (рис.1). В этом заключается основное отличие от классической конструкции СВЧ микросхем, в которой металлизация обратной стороны кристалла используется только в качестве экрана и общего вывода.
 
Пример СВЧ микросхемы с вводом/выводом СВЧ и НЧ сигналов через сквозные металлизированные отверстия представлен на рис.2.
 
  
Рисунок 2 – Лицевая и обратная стороны кристалла детектора проходящей мощности MD912B.
 
Для получения такой конструкции ввода/вывода сигнала в металлизации обратной стороны кристалла формируется дополнительный топологический рисунок. При этом контактные площадки на обратной стороне кристалла надежно изолированы друг от друга: сопротивление между соседними площадками составляет более 50 МОм, а пробивное напряжение превышает 100 В.

Разработанная конструкция может быть интегрирована в микросхемы, выполненные по любой из существующих технологий изготовления СВЧ МИС компании «Микран».

Информация с сайта www.micran.ru.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Новое на форуме

Повышение квалификации
Автоматизация расчетов надежности
Продает ли кто старый принтер MOTOPRINT на запчасти?
Прикольные фотки

Последние новости

Остек-Электро приглашает на семинар по новинкам контрольно-измерительного оборудования AnaPico
подробнее
Микроэлектроника для IoT и 5G
подробнее
«Ангстрем» подвел итоги участия в выставке ChipExpo 2017
подробнее
Модуль сбора данных SAM40
подробнее
Rohde&Schwarz приглашает на выставку RADEL – 2017 и семинар «Решения компании Rohde&Schwarz для измерений в радиоэлектронике и тестирования в соответствии с требованиями электромагнитной совместимости (ЭМС)»
подробнее
Остек-Интегра приглашает на семинар «Современные технологические материалы для участка сборки печатных узлов и РЭА» на выставке РАДЭЛ 2017
подробнее
Итоги Премии «Живая электроника России-2017»
подробнее
© “Элинформ” 2007-2017.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства