Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта


Продвижение продукции, услуг и решений Реклама на портале
Подготовка технических и аналитических материалов, обзоры, информационный мониторинг Информационные услуги
Профессиональный перевод технических материалов: статей, инструкций, руководств, стандартов и проч. Технический перевод
Подписка на новости Подписаться на новости



Авторизация


Главная » Новости » Новости практической технологии » Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Новости практической технологии

20 июня 2017

Новая технология разработки МИС для экономичной сборки и настройки аппаратуры

Специалистами НПК «Микроэлектроника» компании «Микран» разработана и внедрена перспективная конструкция ввода/вывода сигнала для бескорпусных СВЧ микросхем.

Новая конструкция позволит достичь согласования микросхемы с подводящим трактом по СВЧ сигналу в сверхширокой полосе частот, а также использовать при сборке технологию поверхностного монтажа.
 
СВЧ микросхемы с такой конструкцией ввода/вывода сигнала могут быть рекомендованы для применений, где требуются:

  • отличное согласование в сверхширокой полосе частот (КСВН не превышает 1,4 в диапазоне частот от 0 до 55 ГГц);
  • высокая воспроизводимость параметров;
  • поверхностный монтаж без использования процессов разварки проволочек.


Рисунок 1 – Способ передачи сигнала между микросхемой и платой с использованием сквозных металлизированных отверстий.
 
Передача в микросхему всех сигналов, как низкочастотных, так и высокочастотных, осуществляется через сквозные металлизированные отверстия (рис.1). В этом заключается основное отличие от классической конструкции СВЧ микросхем, в которой металлизация обратной стороны кристалла используется только в качестве экрана и общего вывода.
 
Пример СВЧ микросхемы с вводом/выводом СВЧ и НЧ сигналов через сквозные металлизированные отверстия представлен на рис.2.
 
  
Рисунок 2 – Лицевая и обратная стороны кристалла детектора проходящей мощности MD912B.
 
Для получения такой конструкции ввода/вывода сигнала в металлизации обратной стороны кристалла формируется дополнительный топологический рисунок. При этом контактные площадки на обратной стороне кристалла надежно изолированы друг от друга: сопротивление между соседними площадками составляет более 50 МОм, а пробивное напряжение превышает 100 В.

Разработанная конструкция может быть интегрирована в микросхемы, выполненные по любой из существующих технологий изготовления СВЧ МИС компании «Микран».

Информация с сайта www.micran.ru.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Новое на форуме

MP4 In MP3 Umwandeln (Online & Kostenlos) — Convertio
Convertir Vos Fichiers Musicaux FLAC En ALAC, AAC, Ou MP3 Sur Mac
Free Audio Converter
Logiciels Pour Convertir FLAC En MP3

Последние новости

Конференция «Кадры российской электроники»
подробнее
Вебинар «Обзор Новых Возможностей Altium Designer® 18.0»
подробнее
RFID разработки Микрона для цифровой экономики
подробнее
Концерн «Созвездие» наращивает объемы НИОКР в сотрудничестве с вузами
подробнее
Модернизация камер ускоренных испытаний
подробнее
Новый точный дозатор Mechatronic Systems D10
подробнее
Концерн «Созвездие» приступил к поставкам осветительных блоков модуля «ЭРА-ГЛОНАСС» для машин АвтоВАЗа
подробнее
© “Элинформ” 2007-2018.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства