Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости практической технологии » IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе

Новости практической технологии

19 августа 2008

IBM и AMD бросили вызов Intel в 22-нм техпроцессе

IBM и ее партнеры по разработке чипов сделали громкое заявление — им удалось построить первую рабочую 22-нм SRAM-ячейку. Процессоры с техпроцессом 22 нм появятся не ранее, чем через 3 года, но это известие говорит о том, что производитель микросхем будет способен выйти на новый уровень к концу 2011 года. Возможно, впервые за долгое время, Intel потребуется больше времени на исследование и разработку для сохранения технологического лидерства в техпроцессе 22 нм и менее.

SRAM-чип обычно становится первым полупроводниковым прибором для тестирования нового производственного процесса. Устройство было разработано и произведено AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba и Колледжем нанонаук и инженерии (CNSE) в традиционном 6-транзисторном исполнении на 300-мм подложке и имело ячейку памяти размером всего 0,1 мкм2, у процессора Intel с техпроцессом 45 нм ее размер составляет 0,346 мкм2.

22-нм чип станет основой для двух поколений в будущем, что позволит AMD догнать Intel с ее 45 нм. Intel представила первую 32-нм SRAM-ячейку в сентябре прошлого года и не ожидается, что компания представит SRAM-ячейку с техпроцессом 22 нм в течение следующего года. IBM говорит, что усиленно работает над своей 32-нм технологией, и обещает применить "ведущую 32-нм технологию с металлическим затвором и диэлектриком с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости (high-K metal gate), которую ни одна компания или консорциум не смогут превзойти". Компания не представила дополнительной информации для обоснования этого утверждения, однако Intel уже внедряет high-K metal gate начиная с конца 2007 года в 45-нм процессорах.

Пока рано ожидать появления процессоров с техпроцессами 32 нм и 22 нм, но очевидно, что давление на Intel заметно возрастает. В будущем мы можем стать свидетелями интересной борьбы.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на tgdaily.com.

Автор оригинального текста: Андрей Горьев.




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства