Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Подложки и носители для GaAs, GaN, SiC и InP - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Подложки и носители для GaAs, GaN, SiC и InP - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новое оборудование и материалы » Подложки и носители для GaAs, GaN, SiC и InP

Новое оборудование и материалы

15 сентября 2017

Подложки и носители для GaAs, GaN, SiC и InP

Компания Plan Optik AG, ведущий производитель стеклянных и кварцевых полупроводниковых пластин, сообщает о доступности подложек и многоразовых носителей для обработки тонких полупроводниковых пластин с использованием арсенида галлия (GaAs), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и фосфата индия (InP).

У пластин из стекла коэффициент теплового расширения (КТР) адаптирован к вышеуказанным материалам. Диапазон КТР — от 3,3 до 7,2 мкм/м*К. Благодаря этому они подходят для замены, например, сапфировых пластин, обработки пластин GaAs при сохранении аналогичной эффективности, но по более выгодной цене.

Plan Optik имеет богатый многолетний опыт производства носителей для обработки тонких полупроводниковых пластин. Сочетание свойств материала с обширным опытом Plan Optik в области создания чрезвычайно малого разброса по технологическим допускам (допуск на толщину до ±2 микрон и полный разброс по толщине до 1 микрона) позволяет применять стеклянные носители и подложки в самых различных областях.

Полупроводниковые пластины и носители из данных материалов доступны с толщиной от 200 до 900 микрон, а также в определённых случаях до 3000 мкм. Размеры подложек и носителей составляют от 1 дюйма до 300 мм.

В зависимости от потребностей заказчиков пластины можно дополнительно перфорировать (химического разделения) с использованием новейших технологий формирования рельефа от Plan Optik. При необходимости можно создать более 100 000 сквозных отверстий одинакового размера, что обеспечивает плавное и безопасное разделение.

Носители для обработки тонких полупроводниковых пластин можно использовать до 50 раз или оставить в готовом изделии, так как нанесенные материалы устойчивы практически ко всем химическим веществам, используемым в обработке полупроводников и производстве готовых изделий.

Информация с сайта ostec-materials.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства