Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Компания IMEC демонстрирует 3D-микросхемы - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Компания IMEC демонстрирует 3D-микросхемы - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости практической технологии » Компания IMEC демонстрирует 3D-микросхемы

Новости практической технологии

14 октября 2008

Компания IMEC демонстрирует 3D-микросхемы

Лювен, Бельгия, ежегодная исследовательская конференция IMEC

Фото с сайта www.globalsmt.net

Межуниверситетский центр по микроэлектронике IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre), крупнейший европейский независимый институт по исследованиям в области наноэлектроники, объявил сегодня о том, что в его стенах достигнут значительный прогресс, связанный с технологией создания штабелированных трехмерных ИС (3D-SIC, 3D stacked IC). Недавно IMEC продемонстрировал первую работающую 3D-микросхему, полученную с помощью штабелирования кристаллов и применения технологии 5-мкм медных «связей сквозь кремний» (through-silicon vias, TSV). В дальнейшем будут разработаны 3D-микросхемы на 200- и 300-мм полупроводниковых пластинах, включающие в себя тестовые схемы от компаний-партнеров, участвующих в исследовательской программе центра по 3D-интеграции ИС.

Кристаллы для продемонстрированной ИС выполнены на 200-мм пластинах в рамках базового 0,13-мкм КМОП-техпроцесса с добавлением техпроцесса Cu-TSV. Для штабелирования верхний кристалл был подвергнут утонению до 25 мкм и присоединен к кристаллу-основанию с помощью термокомпрессии Cu-Cu. Центр IMEC в настоящее время расширяет данный техпроцесс до операции присоединения кристалла непосредственно к полупроводниковой пластине и находится в процессе переноса данной технологии на платформу 300 мм.

Для оценки влияния конструкции 3D SIC на параметры штабелированных слоев, как верхняя, так и нижняя пластина содержала КМОП-схемы. Проведенное обширное тестирование доказало, что характеристики схем не деградировали с добавлением медных связей сквозь кремний и штабелирования кристаллов. Для тестирования целостности и производительности 3D-микросхемы были разработаны кольцевые генераторы различной конфигурации, размещенные в двух кристаллах и связанные посредством Cu TSV. Будучи протестированы после операций выполнения TSV и штабелирования, эти схемы продемонстрировали отличную работоспособность кристаллов.

«Этими тестами мы продемонстрировали то, что наша технология позволяет осуществлять разработку и производство полностью функциональных кристаллов 3D SIC. Сейчас мы готовы получать исходные тестовые схемы от наших отраслевых партнеров, – прокомментировал событие Эрик Байне (Eric Beyne), научный руководитель отдела 3D-технологий центра IMEC. – Это даст отрасли возможность получения ранее опыта и глубокого исследования конструкций 3D SIC, используя собственные разработки».

Сайт Центра IMEC: www.imec.be.

Информация с сайта www.globalsmt.net.




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства