Новые компоненты и конструкторские решения
22 декабря 2008
Micron и Sun анонсировали флэш-память с миллионом циклов записи
Компания Micron Technology заявила, что в результате сотрудничества с Sun Microsystems ей удалось разработать технологию производства одноуровневых ячеек (single-level cell, SLC) NAND флэш-памяти, обладающих ресурсом в миллион циклов записи, что на порядок превышает характеристики памяти предыдущего поколения. Партнеры считают, что их достижения смогут преодолеть некоторое недоверие к твердотельным накопителям корпоративного уровня на базе NAND-флэш памяти, основывавшееся, прежде всего, на ограниченном количестве циклов записи-стирания, составлявшем для SLC-ячеек предыдущего поколения около 100 тыс.
В настоящее время Micron начала производство 32-Гбит чипов Enterprise NAND, а начало массового выпуска намечено на первый квартал 2009 г. Компания планирует также представить в начале следующего года версии NAND флэш-памяти корпоративного класса с SLC и MLC ячейками на базе 34-нм техпроцесса.
Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.micron.com.
Автор оригинального текста: Александр Харьковский.
|