Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Память на основе нанотрубок оказалась быстрее флэш-памяти - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Память на основе нанотрубок оказалась быстрее флэш-памяти  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Память на основе нанотрубок оказалась быстрее флэш-памяти

Новости перспективных технологий

09 февраля 2009

Память на основе нанотрубок оказалась быстрее флэш-памяти

Фото с сайта www.3dnews.ru

Современные винчестеры пока выдерживают конкуренцию с устройствами хранения информации на основе микросхем флэш-памяти, предоставляя покупателю больший объем дискового пространства за меньшие деньги. Но сомнений в том, что через несколько лет флэш-память станет наиболее востребованным типом информационных накопителей, нет – постепенная миниатюризация микросхем позволяет не только повышать информационную емкость накопителей, но и делает их все более дешевыми. Но и век флэш-памяти вряд ли будет долгим – на горизонте уже появляются устройства нового поколения, которые обещают еще большую информационную емкость вкупе с высочайшими скоростями доступа к данным. Среди таких разработок фигурирует память на основе углеродных нанотрубок, а приглядеться к ней внимательнее заставляют сообщения о резком повышении скоростных характеристик устройств, которые теперь могут соперничать и с флэш-памятью.

Впрочем, к успеху ученые шли долго – главным достоинством ячеек памяти на основе углеродных нанотрубок долгое время оставалось лишь рекордная компактность. Теперь же пришло время радикального улучшения скоростных характеристик устройств – сотрудники Технологического Университета Хельсинки и их коллеги из Университета Jyväskylä, разработали память, скорость которой увеличена сразу в сто тысяч раз. Такой «апгрейд» позволил устройствам на основе углеродных нанотрубок опередить в плане скорости флэш-память. Причем даже не в разы, а на два порядка (в сто раз).

Главное достижение финских ученых – использование в качестве изолирующего материала оксида гафния, который используется для изоляции затвора. Именно благодаря такому нововведения удалось снизить время процедуры чтения/записи информации до сотни наносекунд, тогда как предыдущим достижением для «углеродной памяти» являлось значение в несколько миллисекунда, а аналогичный параметр для флэш-памяти составляет микросекунды. Более того, указанные значения могут оказаться не окончательными, ведь пока не ясно – достигнут ли предел скорости записи/чтения информации ячейкой памяти, либо просто измерительное оборудование не способно фиксировать более скоростные процессы. Вполне может оказаться, что производительность памяти куда выше указанных цифр в сотни наносекунд.

Конструкция ячейки памяти в данном случае выглядит следующим образом: углеродная трубка «лежит» в горизонтальном положении и двумя своими концами контактирует с электродами. Непосредственно под ней, отделенный тонким слоем изолятора, располагается затвор, который и управляет процессом чтения/записи информации. Такая структура уже длительное время применяется для создания памяти на основе углеродных нанотрубок, и лишь скоростные параметры устройств оказывались не на высоте. Оксид гафния исправил и этот недочет.

Следующим этапом работ исследователей становится объединение множества ячеек памяти в единую интегральную микросхему – до этого момента проводились исследования единичных ячеек памяти. Впрочем, существует и еще одна проблема – при отключении питания память сохраняет свое состояние в течение лишь нескольких дней. Другими словами, направлений исследований и разработок пока предостаточно, и вряд ли углеродные нанотрубки в ближайшее время смогут прописаться в персональных компьютерах.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на newscientist.com.

Автор оригинального текста: Александр Бакаткин.




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства