Новости технологии
19 октября 2007
Геттерирующие свойства пластин КНИ компании Okmetic направлены на применение в MEMS-датчиках
Компания Okmetic – поставщик кремниевых пластин для MEMS-датчиков – создала новое изделие с применением технологии «Кремний на изоляторе» (КНИ) со «встроенными» свойствами геттерирования. Поскольку свойства по геттерированию металлических примесей уже присущи исходному материалу, применение геттерирующего КНИ (ГКНИ) обещает значительно улучшить MEMS-устройства и процессы их изготовления: размеры компонентов станут меньше, увеличится выход годных и скорость выполнения процессов, уменьшится стоимость.
Эффект геттерирования достигается за счет добавления тонкого слоя поликристаллического кремния между активным слоем и углубленным оксидом структуры КНИ. Это решение не зависит от топологии, устраняет необходимость в слоях маски и позволяет пропускать операцию имплантации.
«Стандартные КНИ-структуры с углубленным оксидом могут испытывать недостаток в геттерировании, поскольку стандартные методы геттерирования: с обратной стороны подложки или внутреннее геттерирование – недостаточно эффективны для пластин КНИ, либо активный слой может не иметь поверхностей для геттерирования. Тонкий слой КНИ должен был набирать все примеси, поступающие с поверхности, – говорит менеджер по разработке продукции компании Okmetic Яри Макинен (Jari Makinen). – Улучшенные цельность оксидного слоя затвора и напряжение пробоя показали преимущества ГКНИ компании Okmetic. Таким образом, ГКНИ – оптимальное решение для интегральных устройств КМОП и MEMS».
Информация с сайта: www.smalltimes.com
|