Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Toshiba представила спинтронный транзистор - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Toshiba представила спинтронный транзистор  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Toshiba представила спинтронный транзистор

Новости перспективных технологий

11 декабря 2009

Toshiba представила спинтронный транзистор

Изображение с сайта www.3dnews.ru

Toshiba представила MOSFET-транзистор, построенный на основе так называемого спинового токопереноса, происходящего за счет управления спином электронов. Появление подобного компонента весьма многообещающе – на его базе могут быть созданы быстродействующие энергонезависимые логические модули с функцией запоминания, имеющие к тому же чрезвычайно низкий уровень энергопотребления. Демонстрация первой стабильной спинтронной ячейки Toshiba произошла во время проходившего с 7 по 9 декабря в Балтиморе международного семинара по электронным устройствам.

Процесс усовершенствования MOSFET-устройств в рамках современных условий миниатюризации техпроцессов неизбежно приводит к проблемам, связанным с относительным ухудшением производительности из-за таких причин, как увеличение общего сопротивления проводников и увеличение потребления из-за возрастания токов утечки. Спинтроника выглядит одним из наиболее вероятных кандидатов для решения этих проблем, но к задаче построения спинтронных транзисторов начали подступаться только относительно недавно, и до сих пор она решалась лишь частично.

Toshiba представила полевой транзистор, исток и сток которого содержат магнитные слои, и продемонстрировала возможность их использования для контроля направления спинов по методу передачи спинов с переключением момента вращения (spin-transfer-torque-switching, STS), и с подачей напряжения на затвор и исток/сток. Эффект перехода в магнитном туннеле (magnetic tunnel junction) используется для осуществления STS-записи в магнитном слое, сформированном сплавом Гейслера (Heusler alloy) – полуметаллом, выступающим в роли поляризатора спинов.

Компания подтвердила перспективность использования спинтронных MOSFET-устройств для построения запоминающих устройств с быстрой случайной записью и высокой скоростью доступа при низком энергопотреблении. Toshiba намерена продолжить работу над реализацией фундаментальных технологий, которые, по ее расчетам, позволят вывести спинтронные устройства на рынок после 2015 г.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на toshiba.co.jp.

Автор оригинального текста: Александр Харьковский.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства