Новости практической технологии

Intel и Micron первыми представят 25-нм флеш-память

Изображение с сайта www.3dnews.ru

Intel и Micron Technology собираются восстановить технологическое лидерство на рынке NAND, первыми представив изготовленные по 25-нм техпроцессу компоненты. Флеш-память основана на многоуровневых ячейках (MLC), ёмкость микросхем составляет 8 Гб, а стоимость производства по сравнению с предыдущими продуктами снижена на 50%. Официальный анонс новинки, которая позволит обойти уже объявивших о выпуске 32-нм и 30-нм устройств соответственно SanDisk-Toshiba и Samsung Electronics, ожидается 1 февраля. Hynix Semiconductor вскоре также намерена объявить о завершении разработки 26-нм чипов.

Работой над 25-нм NAND занимается совместная структура Intel и Micron IM Flash Technologies LLC. Теоретически, предел 193-нм иммерсионных сканеров составляет 35 нм. IM Flash использовало эту же фотолитографическую технологию и SADP (self-aligned double-patterning – двойной шаблон с самовыравниванием). Наблюдатели называют оборудование от ASML Holdings NV. Как сказано в отчёте Barclays Capital, применяется технология масок с фазовым сдвигом, также служащая преодолению ограничений длины волны 193 нм. SADP по мнению аналитиков является предпочтительной технологией для NAND, и все игроки переходят к ней при 32-нм масштабе. Для 22-нм техпроцесса SADP также рассматривается как лучший выбор ввиду неготовности литографических инструментов к операциям такой точности. Это дорогостоящее, но необходимое дополнение к производственному процессу, решающее проблему корректировки выравнивания при наложении рисунка, которая более не является решающим фактором.

Intel и Micron пока не конкретизировали всю 25-нм технологию, однако называют достижение значительным успехом. IM Flash начала деятельность с выпуска 50-нм компонентов в 2006 году, затем последовали 34-нм в 2008. Как считает вице-президент и главный управляющий Intel NAND Solutions Group Том Рэмпон (Tom Rampone), новое продвижение в техпроцессе ускорит распространение SSD-дисков. Кроме того, должны снизиться расходы на производство MP3-плееров, компонентов для мобильных телефонов и других продуктов, в том числе планшетов. Время появления 25-нм микросхем оптимальное: рынок NAND восстанавливается, спрос растёт. Глобальные продажи флеш-памяти ожидаются на уровне $18,807 млрд в 2010 году, тогда как ещё в прошлом они составили $15,416 млрд по данным IC Insights. В целом рынок интегральных схем достигнет $270,7 млрд – на 15% больше 2009 года.

Для производителей потребительской электроники 25-нм компоненты являются решениями с самой высокой плотностью размещения данных на кристалле с двухбитными многоуровневыми ячейками в корпусе TSOP. 256-Гб SSD может включать 32 чипа вместо 64, а для смартфона с 32 Гб памяти понадобятся четыре. Массовое производство новой флеш-памяти запланировано на второй квартал 2010 года. По информации Objective Analysis, стоимость 1 Гб составит $0,5 (распространённая 45-нм NAND обходится в $1,75).

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на eetimes.com.

Автор оригинального текста: Денис Борн.