Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Новый трехмерный транзистор может работать на частоте 50 ГГц - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Новый трехмерный транзистор может работать на частоте 50 ГГц - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости технологии » Новый трехмерный транзистор может работать на частоте 50 ГГц

Новости технологии

10 декабря 2007

Новый трехмерный транзистор может работать на частоте 50 ГГц

Японская компания Unisantis заявила, что она создаст и выпустит на рынок новый тип трехмерных транзисторов, которые будут работать в десять раз быстрее существующих микросхем. Компания готовится подписать договор о сотрудничестве на 24 месяца с Институтом Микроэлектроники Сингапура для выполнения совместной разработки.

Компании претендуют на то, что тактовая частота процессоров может достичь от 20 до 50 ГГц при применении трехмерной структуры, позволяющей располагать компоненты вертикально, а не горизонтально, как в традиционной технологии. Новый элемент представляет собой транзистор с окольцовывающим затвором (SGT-транзистор).

Разработку возглавляет Технический директор компании Unisantis Фуджи Масуока (Fujio Masuoka), человек, которому приписывают изобретение Flash-памяти. В процессе работы над проектом к нему присоединятся около 30 ученых и инженеров.

По словам Масуока, SGT-транзистор представляет собой вертикальный кремниевый столбик, окруженный ячейками памяти, электрическими контактами и другими компонентами.
Трехмерная структура уменьшает расстояние, которое необходимо преодолеть электронам, что позволяет снизить рассеиваемую мощность и уменьшить стоимость производства в сравнении с современными кристаллами.


SGT-транзистор. Рисунок из статьи В. Денисенко Особенности субмикронных МОП-транзисторов, Chip News, №7, 2002 г., http://www.chipnews.ru/html.cgi/arhiv/02_07/4.htm
 

«Технология SGT также позволит и далее улучшать характеристики полупроводниковых изделий на основе кремния, такие как размер транзистора и скорость работы, в течение, по крайней мере, 30 лет, до тех пор, пока не будут достигнуты теоретические границы ее возможностей. Такие улучшения необходимы для ИМС нового поколения, чтобы достичь вычислительной мощности, которая требуется для продуктов информационных технологий и компьютерных сетей с постоянно растущей функциональностью и сложностью», – сказал Масуока.

По информации с сайта: www.theregister.co.uk




Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства