Новости практической технологии

Hynix переводит флеш-память на 20-нм техпроцесс

Изображение с сайта www.3dnews.ru

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor в официальном пресс-релизе заявила о начале массового производства новых чипов флеш-памяти NAND емкостью 64 Гбита, изготовленных в соответствии с нормами 20-нм техпроцесса.

Одним из наиболее весомых преимуществ новой технологии стал возросший на 60% по сравнению с предыдущим 30-нм техпроцессом уровень производительности и уменьшенный физический размер кристалла, что позволяет значительно увеличить ёмкость выпускаемых микросхем памяти и при этом снизить их конечную стоимость для производителей карт памяти, твердотельных накопителей и носителей информации, использующих микросхемы NAND.

По заявлениям производителя, новые чипы памяти в первую очередь ориентированы на использование в мобильных устройствах, таких как смартфоны, планшетные ПК и прочие, где размер является одним из основополагающих факторов при выборе типа памяти на стадии разработки. Появление первых устройств, использующих новые 20-нм микросхемы NAND, ожидается уже в текущем году.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на Hynix Semiconductor.

Автор оригинального текста: Андрей Ланговой.