Новые компоненты и конструкторские решения

Intel и Micron начинают поставки 25-нм флеш-памяти

Фото с сайта www.3dnews.ru

Корпорация Intel и компания Micron Technology (совместное предприятие – IM Flash Technologies, IMFT) анонсировали начало поставок флеш-памяти NAND, производящейся с соблюдением самого передового в настоящее время 25-нм техпроцесса. Эти чипы с многоуровневой структурой ячеек отличаются также тем, что каждая такая ячейка способна хранить до 3 бит данных.

Благодаря 25-нм техпроцессу и 3 битам на ячейку (против двух бит в предыдущем поколении) достигается высочайшая плотность данных. Пока образцы 64-гигабитных микросхем (8 Гб) поставляются некоторым партнёрам, а массовое производство начнётся ближе к концу года.

По сравнению с продуктами предыдущих поколений модули обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью и предназначены для использования во внешних накопителях, картах памяти и потребительской электронике. В настоящее время 8-гигабайтный модуль от Intel и Micron является самым компактным в мире решением с такой ёмкостью – его площадь составляет лишь 131 мм².

«Мы начали выпуск самых миниатюрных модулей NAND по нормам 25-нм техпроцесса, еще в январе, – отмечает Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. – Теперь мы освоили стандарт 3bpc. Это говорит о способности разработчиков все время оставаться на пике технологического прогресса, предлагая новые продукты по доступным ценам. Intel ценит опыт IMFT в конструировании и производстве NAND-памяти и будет использовать новые модули в своих решениях».

«С каждым днем NAND-память становится все более важной для потребительской электроники. В связи с этим переход к технологии TLC с применением 25-нм процесса можно назвать конкурентным преимуществом портфеля наших решений, – заявил Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент Micron по производству флеш-памяти. – Мы уже приступили к сертификации продуктов на базе 8-гигабитных модулей, включая устройства хранения данных Lexar Media и Micron».

Распространение таких модулей позволить сделать флеш-память ещё более дешёвой и привлекательной. Кстати, в конце года Intel должна выпустить новую линейку транзисторных накопителей, использующих 25-нм чипы NAND флеш-памяти.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.intel.com, www.micronblogs.com.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.