Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
В Томске проходит IX научно-техническая конференция «Технологическая модернизация – основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности» - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
В Томске проходит IX научно-техническая конференция «Технологическая модернизация – основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности»  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости российского рынка » В Томске проходит IX научно-техническая конференция «Технологическая модернизация – основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности»

Новости российского рынка

16 сентября 2010

В Томске проходит IX научно-техническая конференция «Технологическая модернизация – основа повышения конкурентоспособности радиоэлектронной промышленности»

Фото с сайта rosrep.ru

Второй день конференции, 15 сентября, открылся церемонией возложения цветов к мемориалу памяти томичам, павшим в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг., в которой приняли участие многие делегаты форума. После нее участники конференции посетили набережную в Лагерном саду, где смогли оценить вид на левобережье реки Томь.

Деловая программа второго дня форума началась выступлением заместителя губернатора Томской области Оксаны Козловской, которая рассказала об инновационном развитии, как залоге устойчивого развития всего региона, на примере Томской области.

Далее свой доклад о направлениях инновационного развития и технологической модернизации интегрированных структур представил генеральный директор ОАО «Росэлектроника» Андрей Зверев. Он рассказал о структуре и основных направлениях деятельности ОАО «Российская электроника», входящего в ГК «Ростехнологии», и о тех структурных и технологических изменениях, которые начались на предприятии в 2009 г. Кроме того, речь в докладе шла и о ИС «Зодиак», переживающей подобные изменения, в частности, о формировании в ее рамках Московского и Саратовского кластеров предприятий-производителей СВЧ электроники, и планов по созданию еще целого ряда научно-производственных и технологических кластеров в ближайшие два года, включая Санкт-Петербургский, Северокавказский и др.

О развитии СВЧ электроники в своем докладе говорил и глава НПФ «Микран» В. Гюнтер. По его мнению, отставание российской твердотельной СВЧ электроники по масштабам применения в нашей стране от мирового уровня возможно преодолеть, например, путем создания вертикально-интегрированных электронных компаний и организации кластера СВЧ электроники. По его словам, именно подобная схема реализуется с участием НПФ «Микран» и предприятий и организаций Томска и Новосибирска. Основой этой стратегии является обеспечение конечной продукции фирмы собственной СВЧ электронной компонентной базой. Также, по его мнению, необходимо провести «существенную переработку таможенного законодательства, а также либерализацию законодательства о порядке учета и хранения драгметаллов и других камней для частных предприятий, работающих в области СВЧ микроэлектроники».

Но, традиционно, докладчики касались не только проблем отрасли, но и представляли свои наработки, направления деятельности и результаты работы. Так, об основных направлениях НИОКР в вузах рассказали ректоры томских вузов. Об инновационных технологиях, разрабатываемых в НИТПУ, доложил глава Национального исследовательского Томского политехнического университета Петр Чубик. Ректор ТУСУР Юрий Шурыгин в своем выступлении рассказал о функциях и достижениях Научно-образовательного центра «Нанотехнологии». Сегодня центр проводит прецизионные измерения для построения моделей элементов СВЧ МИС на специализированной измерительной установке, занимается созданием и пополнением библиотек монолитных элементов для используемых технологий (в том числе для сторонних заказчиков); создает и развивает ПО для автоматизированного проектирования СВЧ МИС, а также проектирует, собственно, СВЧ МИС по требованиям заказчика.

Разговор о региональных разработках на конференции был продолжен докладом от ведущего томского игрока рынка радиоэлектроники, Научно-исследовательского института Полупроводниковых приборов. Заместитель директора НИИПП А. Пономарев представил наиболее значимые результаты исследований и разработок ОАО НИИПП на основе модернизированной технологии материалов А3В5. Отдельно он рассказал об основных направлениях в области создания и промышленного выпуска полупроводниковых источников света, существующих сегодня в НИИПП.

Завершающие мероприятия конференции состоятся 16 сентября 2010 г.

Информация с сайта rosrep.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2024.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства