Новые компоненты и конструкторские решения
30 сентября 2010
Elpida разработала 30-нм DDR3-память
Один из ключевых игроков на рынке DRAM-памяти, японская компания Elpida Memory сообщила о завершении разработки двухгигабитных чипов DDR3 SDRAM, использующих 30-нм проектные нормы.
Как отмечается в официальном пресс-релизе, новые чипы являются самыми компактными 2-Гбит микросхемами памяти типа DDR3. По сравнению с 40-нм техпроцессом, переход на «30 нм» позволяет увеличить количество чипов, получаемых с одной полупроводниковой пластины, на 45%. Таким образом, снижается себестоимость чипов.
Новые микросхемы работают с эффективной частотой 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В, а также могут использоваться в энергоэффективной памяти DDR3L-1600. Переход на 30-нм техпроцесс позволил примерно на 15% снизить энергопотребление в рабочем режиме и на 10% в режиме ожидания по сравнению с 40-нм решениями.
Массовое производство 30-нм DDR3-чипов будет запущено в декабре 2010 года.
Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.elpida.com.
Автор оригинального текста: Александр Будик.
|