Новые компоненты и конструкторские решения

Samsung удвоила емкость чипов памяти

Компания Samsung приступила к производству первого в отрасли 64-гигабитного (8 ГБ) NAND-чипа с технологией 3 бита на ячейку, выполненного на базе 20-нм технологического процесса. Данный продукт может быть использован во внешних накопителях, SSD, памяти смартфонов и картах памяти.

Новый чип на 14% меньше в сравнении с чипом, запущенным в производство в ноябре 2009 г. Выполненный на базе тех же технологией, что и сегодняшняя разработка, прежний чип памяти был не только больше, но и вмещал вдвое меньше информации.

Запуск в производство новой микросхемы является очередным этапом развития полупроводникового бизнеса Samsung, отметили в компании. Так, например, в апреле Samsung впервые приступила к выпуску чипов емкостью 4 ГБ, выполненных на базе 20-нм техпроцесса.

Информация с сайта www.cnews.ru.