Новости перспективных технологий

Intel готовится к переходу на 450-мм пластины

Фото с сайта www.3dnews.ru

Как сообщалось ранее, Intel построит новую R&D-фабрику в американском городе Хиллсборо штата Орегон, а также обновит до 22 нм существующие американские производства. Общий объём инвестиций составит от $6 млрд. до $8 млрд.

Новая «фабрика будущего» в Орегоне будет известна под именем D1X. Изначально многими распространялись слухи о том, что D1X будет создана с учётом перехода в будущем с 300-мм на 450-мм пластины. Чем больше площадь полупроводниковой пластины, тем больше можно разместить на ней чипов. Благодаря этому понижается себестоимость отдельного кристалла. Сейчас самым распространённым видом пластин являются 300-мм, которые пришли на смену 200-мм.

На днях корпорация Intel подтвердила, что D1X в самом деле будет готова к переходу на 450-мм пластины. Марк Бор (Mark Bohr), старший директор подразделения Intel Process Architecture and Integration, отметил, что компания чрезвычайно заинтересована в переходе на пластины с диаметром 450 мм и потому D1X создаётся с учётом совместимости с ними.

Производители оборудования для фабрик также всё больше говорят о 450-мм пластинах, хотя в одно время они не хотели разрабатывать оборудование для производства на 450-мм пластинах из-за слишком высокой стоимости. Теперь ситуация на рынке иная. Господин Бор отмечает: «Я чувствую, что многие поставщики оборудования заинтересованы в 450 мм».

Дэн Хатчесон (G. Dan Hutcheson), глава аналитической компании VLSI Research, отмечает, что сейчас в технологии заинтересованы не только три гиганта Samsung, Intel и Toshiba, но и многие другие. Он отмечает, что более 90% поставщиков оборудования так или иначе вовлечены в разработку 450-мм пластин, хотя публичная позиция большинства всё ещё против технологии.

Пол Отеллини с 300-мм пластиной.

Впрочем, до наступления эпохи 450-мм пластин пройдёт ещё довольно внушительное время. Дэн Хатчесон полагает, что самым ранним сроком можно считать 2018 год.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на eetimes.com.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.