Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Созданы высококачественные тонкоплёночные транзисторы на углеродных нанотрубках - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Созданы высококачественные тонкоплёночные транзисторы на углеродных нанотрубках  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Созданы высококачественные тонкоплёночные транзисторы на углеродных нанотрубках

Новости перспективных технологий

17 февраля 2011

Созданы высококачественные тонкоплёночные транзисторы на углеродных нанотрубках

Изображения с сайта www.ostec-group.ru

Сотрудники Нагойского университета (Япония) и Университета им. Аалто (Финляндия) изготовили высококачественные тонкоплёночные транзисторы на углеродных нанотрубках.

При создании таких устройств используются «сети» нанотрубок, причём последние могут иметь и металлические, и полупроводниковые свойства. Количественное соотношение разных типов наноструктур задаёт параметры транзистора: при увеличении доли металлических нанотрубок растёт подвижность носителей заряда, но падает отношение токов в открытом и закрытом состоянии. Обе эти характеристики важны, и разработчики давно – и пока безуспешно – пытаются найти удобный способ сортировки нанотрубок, который позволил бы чётко устанавливать параметры транзистора.

Предложенная авторами относительно простая методика решает часть этих проблем и даёт возможность изготавливать «сети» из прямых длинных (~10 мкм) нанотрубок, 30% которых демонстрируют металлические свойства. Важно, что нанотрубки образуют преимущественно Y-образные соединения с более низким, чем у крестообразных, сопротивлением.


Модель транзистора и готовая гибкая интегральная схема (здесь и далее иллюстрации авторов работы).

На основе полученных тонких плёнок были изготовлены транзисторы, сочетающие высокую подвижность в 35 см2•В-1•с-1 с достойным отношением токов (около 6•106). Эти значения превышают показатели других тонкоплёночных транзисторов на углеродных нанотрубках, аморфном кремнии и органических материалах и сравнимы с характеристиками транзисторов на поликристаллическом кремнии и оксиде цинка.

Новые транзисторы можно размещать на гибких и прозрачных пластиковых подложках. В отдельных экспериментах учёные создали гибкие интегральные схемы, реализовав на базе новой технологии кольцевые генераторы и D-триггеры.


Сравнение характеристик новых транзисторов с другими тонкоплёночными устройствами.


D-триггер на углеродных нанотрубках.

Информация с сайта www.ostec-group.ru со ссылкой на www.compulenta.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства