Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
В США построен первый лазер на чипе - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
В США построен первый лазер на чипе  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » В США построен первый лазер на чипе

Новости перспективных технологий

18 февраля 2011

В США построен первый лазер на чипе

Фото с сайта www.membrana.ru

Наноразмерный лазер, выращенный непосредственно на поверхности кремниевого чипа, открывает новые возможности для построения гибридной микроэлектроники. Последняя должна сочетать обработку электрических и оптических сигналов в единой схеме.


На этом снимке с электронного микроскопа виден новый лазер в процессе получения – это столбик с высотой и поперечником примерно по 600 нанометров (иллюстрации Roger Chen, Forrest G. Sedgwick1 & Connie Chang-Hasnain et al./Nature Photonics).

Новинку продемонстрировали учёные из калифорнийского университета в Беркли (University of California, Berkeley). Они сумели аккуратно соединить кристаллические решётки кремния, как основы, и полупроводников из III-V групп таблицы Менделеева.


Новый чип находится внутри испытательной камеры в центре этого снимка (фото Technology Review).

Из-за различий в параметрах атомов обычное совмещение материалов приводило к дефектам, влияющим на работу устройства. Однако, авторы инновации придумали технологию тонкого контроля за ростом кристалла.

Учёные поместили кремниевую пластину в камеру, нагрели до 400 градусов по Цельсию, и постепенно добавили в виде газа нужные вещества. Так на подложке возник бездефектный кристалл арсенида индия галлия. Далее на нём аналогичным методом нарастили тонкую оболочку из арсенида галлия.

Когда получившийся лазер накачивали лучом от внешнего лазера, свет попадал внутрь полупроводникового столбика, где закручивался вокруг вертикальной оси по спирали (разница в оптических свойствах ядра и оболочки вызывала такой эффект). Захваченные фотоны накапливались, а после достижения определённого порога энергии выбрасывались.


Схема лазера на чипе и его раскрашенные фотографии. Ниже – схема закручивания света и распределение полей в кристалле (иллюстрации Roger Chen, Forrest G. Sedgwick1 & Connie Chang-Hasnain et al./Nature Photonics).

«Этот спиральный эффект ранее не наблюдался в лазерах», – пишет Technology Review. (Детали опыта его авторы изложили в статье в Nature Photonics.)

Следующим шагом специалистов из Беркли должна стать демонстрация уже не оптической, а электрической накачки этого нанолазера.

Поскольку различные микроскопические фотоприёмники на чипе уже существуют, такое достижение позволит строить оптические схемы на кремнии, гладко совмещённые с традиционными элементами. Эта интеграция позволит поднять плотность упаковки и скорость работы микросхем, так как устранит некоторые узкие места в передаче данных между различными частями компьютеров.

Информация с сайта www.membrana.ru.

Автор оригинального текста: Леонид Попов.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства