Новости перспективных технологий

У новой мобильной памяти Samsung пропускная способность выше в 8 раз

Фото с сайта www.3dnews.ru

Компания Samsung объявила о создании нового типа памяти для смартфонов, основанной на чипе LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM. Новый чип отличается заметно возросшей пропускной способностью – до 12 Гбит/с, что в 8 раз выше, чем у нынешней мобильной памяти DDR DRAM (1,6 Гбит/с).

Как пояснили в компании, такого эффекта удалось добиться благодаря 16-кратному увеличению количества контактов – с 32 до 512 единиц. Несмотря на столь значительный прирост производительности, специалистам Samsung удалось снизить в новом чипе энергопотребление на 87% (по сравнению с нынешней памятью).

Как ожидается, новый тип памяти поначалу будет реализован в чипах емкостью 1 Гбит (128 Мбайт), изготовленных с использованием 50-нм техпроцесса. Сроки их выпуска пока не озвучены. Затем, примерно к 2013 году, будет освоено производство чипов плотностью 4 Гбит (512 Мбайт) с использованием 20-нм технологии.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.electronista.com.

Автор оригинального текста: Владимир Мироненко.