Информационный портал по технологиям производства электроники
Intel начинает выпускать память по 20-нм техпроцессу  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Авторизация

Главная » Новости » Новости практической технологии » Intel начинает выпускать память по 20-нм техпроцессу

Новости практической технологии

15 апреля 2011

Intel начинает выпускать память по 20-нм техпроцессу

Фото с сайта www.cnews.ru

Совместное предприятие Intel и Micron приступило к поставкам тестовых образцов чипов NAND-памяти на базе новой 20-нм технологии. Новые модули на 30-40% меньше существующих решений, что позволяет улучшить свойства потребительских устройств: поместить в них больше памяти или более емкую аккумуляторную батарею.

Intel и Micron Technology объявили о переходе на 20-нм технологический процесс при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБ.

Новые микросхемы имеют площадь 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБ, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала, утверждают в Intel.

Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации, добавили в пресс-службе.

Новые чипы выпускает совместное предприятие IM Flash Technologies (IMFT). В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБ. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron таке планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБ, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 ГБ размерами меньше, чем почтовая марка США.


Переход на 20-нм техпроцесс – очередной шаг вперед в микроэлектронике.

Напомним, что в последний раз партнеры сменили техпроцесс около года назад – в феврале 2011 г. IMFT приступила к постакам тестовых образцов 25-нм чипов NAND-памяти. А в августе было объявлено о внедрении технологии 3-bit-per-cell, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных.

NAND-память сохраняет данные при отключенном электропитании и широко используется в потребительской электронике, включая смартфоны, медиаплееры, GPS-навигаторы, планшеты и так т.д. Такая память также используется как основа твердотельных накопителей (SSD) в ноутбуках.

Информация с сайта www.cnews.ru.

Автор оригинального текста: Сергей Попсулин.


Оцените материал

Оценка полезности информации:
Оценка полноты информации:  
Оценка изложения информации:  
Комментарий:  
 



Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2018.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства