Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy Bridge - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy Bridge  - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy Bridge

Новости перспективных технологий

05 мая 2011

Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy Bridge

Фото с сайта www.3dnews.ru

Как и ожидалось, Intel сообщила о важном, по её словам, революционном, прорыве в технологии производства кремниевых чипов – компания изменила транзисторы, основные логические элементы современных процессоров. Отныне они будут трёхмерными. Разработанная Intel технология Tri-Gate начнёт применяться уже в следующем поколении процессоров, которые получат имя Ivy Bridge и будут производиться с соблюдением 22-нм норм техпроцесса.

В последние 50 лет в электронике применялись исключительно планарные структуры, поэтому переход на трёхмерные транзисторы, действительно, весьма важное событие. Эта технология, как обещает полупроводниковый гигант, повлияет не только на компьютерные процессоры, но и на чипы, используемые в мобильных телефонах, потребительской электронике, в контроллерах, бытовой технике, медицинском оборудовании и так далее.

Благодаря трёхмерным транзисторам можно преодолеть массу трудностей, возникающих при переходе на более тонкие нормы техпроцесса, и продолжить следовать темпам развития, заданным так называемым Законом Мура. На основе транзисторов Intel 3-D Tri-Gate можно создавать процессоры, работающие на меньших значениях напряжения и с меньшими утечками тока. Это позволяет добиться нового уровня энергоэффективности или значительно нарастить производительность по сравнению с современными чипами.

Как сообщает Intel, трёхмерные транзисторы Tri-Gate, созданные с соблюдением 22-нм норм техпроцесса и работающие на низком напряжении, имеют производительность выше на 37% по сравнению с обычными 32-нм транзисторами. Благодаря переходу на новую технологию, при одинаковом уровне производительности новые процессоры потребляют более чем вдвое меньше энергии, чем 32-нм аналоги.

Технология Tri-Gate была изобретена ещё в 2002 году в научно-исследовательских лабораториях Intel. Название свидетельствует о трёхмерной структуре затвора транзистора. Компания утверждает, что Tri-Gate – это, фактически, изобретение транзисторов вновь: благодаря тому, что традиционные планарные элементы становятся трёхмерными, снижается сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии и почти полностью перекрывается поток в закрытом, позволяя быстрее переключаться. Важно и то, что трёхмерные транзисторы позволяют добиться более высокой плотности размещения логических элементов в микросхеме.

«На протяжении многих лет мы осознавали, что с уменьшением величины транзисторов в конечном счете упремся в определенный предел, – отметил один из основателей Intel Гордон Мур. – Преобразование базовой структуры – революционный подход, который позволяет следовать закону Мура».

Одновременно с анонсом технологии трёхмерных транзисторов Tri-Gate производитель продемонстрировал в работе и прототип первого в мире 22-нм процессора (кодовое имя Ivy Bridge). Эти чипы станут первыми массовыми продуктами с транзисторами 3-D Tri-Gate и будут предназначены для использования в ноутбуках, настольных ПК и серверах. Серийное производство Intel планирует начать в конце текущего года.

Во время анонса Intel не забыла и о своих мобильных инициативах, отметив, что новые транзисторы позволят создать ещё более энергоэффективные и мощные чипы семейства Atom. Нет сомнения, что это поможет компании в конкурентной борьбе с ARM на рынке смартфонов и планшетов.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.intel.ru.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства