Новости технологии

Intel и STMicro поставляют первые образцы PRAM

Достигнут очередной важный этап на пути развития одного из наиболее перспективных конкурентов традиционных «флэшек» - памяти на основе фазового перехода, известной также как PRAM и PCM (phase-change memory). Как сообщили компании Intel и STMicroelectronics, стартовали продажи прототипов новых микросхем, которые являются первыми функционирующими образцами PRAM и предназначены для ознакомления с технологией потенциальных клиентов разработчиков.

Кремниевое изделие получило кодовое имя Alverstone. Как утверждают разработчики, новая память отличается очень высокими скоростями чтения/записи, а её потребляемая мощность гораздо ниже по сравнению с традиционными микросхемами типа флэш.

Руководитель по разработке новых технологий предприятия Numonyx, основанного Intel и STMicroelectronics, Эд Доллер (Ed Doller) отметил, что представление чипов PRAM является наиболее важным событием в отрасли энергонезависимой памяти за последние 40 лет.

Емкость чипов Alverstone составила 128 Мбит, а ячейки памяти имеют одноуровневую архитектуру SLC. Напомним, на ISSCC также демонстрировался 256-Мбит чип PRAM, созданный на основе многоуровневой архитектуры MLC, которая позволяет хранить в одной ячейке сразу два бита информации.

А теперь немного истории. Сотрудничество Intel и STMicroelectronics в области PRAM-памяти началось еще в далеком 2003 году с внедрением программы по совместной разработке JDP (joint development program). Первым важным достижением JDP стало представление в 2004 году на симпозиуме VLSI чипа емкостью 8 Мбит, созданного по 180-нм техпроцессу.

Как отмечается, герой сегодняшней новости, 128-Мбит PRAM-чип Alverstone, был впервые представлен в 2006 году на VLSI в рамках программы JDP. Распространением и дальнейшим развитием разработок JDP в будущем займется совместное предприятие Numonyx.

Информация с сайта www.3dnews.ru со ссылкой на www.intel.com

Автор оригинального текста: Александр Будик