Новости перспективных технологий

Представлена новая технология производства нанотранзисторов

Изображение с сайта science.compulenta.ru

В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.

Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials.)

Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.

Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля 2011 г. в Сан-Франциско (США).

Информация с сайта science.compulenta.ru со ссылкой на Applied Materials.

Автор оригинального текста: Андрей Величко.