Новости перспективных технологий

Разрабатывается компьютерная память нового типа

Изображение с сайта science.compulenta.ru

Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM).

Новая методика предусматривает использование кремниевых нанопроводов и «сегнетоэлектрического полимера» — материала, изменяющего полярность при приложении электрического поля. Исследователи называют подобную структуру «сегнетоэлектрическим транзистором».

Структура FeTRAM (иллюстрация Университета Пердью).

Предполагается, что микрочипы, изготовленные по технологии FeTRAM, будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с современной флеш-памятью. Экономия, как отмечается, теоретически может достигать 99%.

Другое достоинство FeTRAM — высокое быстродействие, потенциально превышающее показатели скорости передачи данных статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM). При этом микрочипы FeTRAM будут энергонезависимыми, то есть смогут хранить информацию при отсутствии питания.

Впрочем, пока технология FeTRAM находится на ранней стадии развития, и сроки выпуска коммерческих продуктов на её основе не оговариваются. Но не исключено, что рано или поздно FeTRAM-чипы появятся в компьютерах и портативных гаджетах. Разработчики уже подали патентную заявку на своё изобретение.

Информация с сайта science.compulenta.ru со ссылкой на материалы Университета Пердью.

Автор оригинального текста: Владимир Парамонов.