Новости перспективных технологий

Создана полнофункциональная гибкая память

Изображение с сайта science.compulenta.ru

Исследователи из Корейского института науки и технологии (KAIST) предложили новую методику изготовления резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM).

Гибкая память RRAM (иллюстрация KAIST).

Разработанная технология позволяет формировать полнофункциональные микросхемы энергонезависимой памяти, обладающие способностью к деформации. Данные могут быть считаны и записаны в произвольном порядке с приемлемой скоростью.

Отмечается, что специалистам KAIST удалось решить проблему интерференции между соседними ячейками памяти. Для этого на гибкой пластиковой подложке были интегрированы высокопроизводительный однокристальный кремниевый транзистор и мемристор. Напомним, что мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Ключевая особенность элемента данного типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате чего сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.

Ожидается, что в перспективе микросхемы памяти, изготовленные по новой методике, найдут применение в гибкой электронике. Впрочем, о сроках коммерциализации технологии не сообщается.

Информация с сайта science.compulenta.ru со ссылкой на материалы PhysOrg.

Автор оригинального текста: Владимир Парамонов.