Новости технологии
27 февраля 2008
Компании IMEC удалось достичь рекордного к.п.д. 24,7% арсенид-галлиевых солнечных элементов на германиевой подложке
Компания IMEC изготовила однопереходный арсенид-галлиевый солнечный элемент на германиевой подложке с рекордным к.п.д. – 24,7%. Эффективность преобразования энергии была подтверждена измерениями лаборатории NREL (National Renewable Energy Laboratory, США). Арсенид-галлиевые солнечные элементы применяются в солнечных батареях спутников и наземных солнечных станций.
Компании IMEC удалось достичь рекордных результатов на однопереходном арсенид-галлиевом элементе, полученным эпитаксиальным выращиванием на германиевой подложке с улучшенным распределением микродефектов. Элемент, имеющий площадь 0,25 см², продемонстрировал к.п.д. 24,7% при напряжении холостого хода 999 мВ, токе короткого замыкания 29,7 мА/см² и коэффициенте заполнения 83,2%. Элемент был выполнен в рамках проекта ESA-IMAGER. Германиевая подложка была изготовлена одним из лидеров в области технологий материалов – группой Umicore – с помощью оптимизированной технологии, направленной на улучшение качества германиевого кристалла.
Увеличение к.п.д. однопереходного арсенид-галлиевого элемента – следующий шаг в разработке гибридных монолитных и механически скрепленных пакетных трехпереходных солнечных элементов. Этот тип изделий состоит из пакетов солнечных элементов, изготовленных из различных полупроводниковых материалов, подобранных особым образом, чтобы обеспечить максимально эффективное использование солнечного спектра. Из множества различных комбинаций компания IMEC выбрала для основных работ элементы, верхние части которых выполнены из соединений материалов III и V групп, а нижние – из германия. Используя такие комбинации, компания IMEC планирует достичь к.п.д. 35% и выше. Полученные в результате пакеты могут быть использованы на спутниках и наземных солнечных станциях, где высокий к.п.д. является важнейшим параметром.
Информация с сайта www.imec.be
|