Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Показана возможность изготовления высокоэффективных тонких солнечных элементов - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Показана возможность изготовления высокоэффективных тонких солнечных элементов - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Показана возможность изготовления высокоэффективных тонких солнечных элементов

Новости перспективных технологий

13 января 2012

Показана возможность изготовления высокоэффективных тонких солнечных элементов

Изображение с сайта ostec-group.ru

Учёные из Калифорнийского технологического института (США) показали, как можно увеличить долю излучения, поглощаемого тонкими солнечными элементами.

Целью исследователей стало преодоление классического предела эффективности «захвата» излучения, который ещё в 1982 году установил Эли Яблонович, рассматривая объёмные однородные полупроводники. Его теория действует в случае простых световых «ловушек», описываемых с позиций геометрической оптики и построенных на эффекте полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводника (скажем, кремния с показателем преломления n = 3,5) и окружающей среды — воздуха. Чтобы увеличить длину пути излучения в материале, максимизировать поглощение и приблизиться к фундаментальному пределу, поверхность раздела в таких схемах текстурируют.

Проведённые Яблоновичем расчёты, однако, неприменимы к современным солнечным элементам, которые могут иметь неоднородную структуру и толщину, сильно уступающую длине волны излучения. Здесь, как доказали авторы новой работы, традиционный предел можно преодолеть за счёт увеличения локальной плотности фотонных состояний в поглощающей области устройства.

Американцы также проанализировали разные способы увеличения плотности состояний, установив, что требуемого эффекта можно добиться с помощью металлических покрытий, фотонных кристаллов, размещаемых над или под активным слоем, или плазмонных элементов. Последний вариант разобран на рисунке выше, где показаны результаты расчётов для органического поглощающего слоя P3HT:PCBM толщиной 10 нм, на который наносятся периодические массивы серебряных резонаторов. Красным, оранжевым и синим обозначена доля излучения, поглощаемая при использовании массивов с разными параметрами, серым — показатели «чистого» P3HT:PCBM, чёрным — предел Яблоновича.

Предсказать, когда такие технологии начнут применяться на практике, трудно: модификация структуры солнечного элемента, разумеется, усложняет процесс его изготовления, а вместе с этим растёт и его стоимость.

Информация с сайта ostec-group.ru со ссылкой на compulenta.ru.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства