Уважаемые пользователи! Приглашаем Вас на обновленный сайт проекта: https://industry-hunter.com/
Новая OLED-структура, построенная без использования редкоземельных металлов - ЭЛИНФОРМ
Информационный портал по технологиям производства электроники
Новая OLED-структура, построенная без использования редкоземельных металлов - ЭЛИНФОРМ
На главную страницу Обратная связь Карта сайта

Скоро!

Событий нет.
Главная » Новости » Новости перспективных технологий » Новая OLED-структура, построенная без использования редкоземельных металлов

Новости перспективных технологий

27 марта 2012

Новая OLED-структура, построенная без использования редкоземельных металлов

Изображение с сайта lightingmedia.ru

Группа японских исследователей из центра OPERA (Organic Photonics and Electronics Research) при Университете Киюши разработала высокоэффективное люминесцентное OLED-устройство, в котором не содержатся редкие металлы.

Светоизлучающий механизм, при котором возбужденное триплетное состояние (T1) преобразуется в возбужденное синглетное состояние (S1)

Внешняя квантовая эффективность нового устройства превышает 5%, что является рекордной величиной для люминесцентных OLED-устройств, построенных без использования редких металлов.

Поскольку внутренняя квантовая эффективность люминесцентных материалов может достигать 100%, они получили широкое распространение в высокоэффективных OLED-устройствах. Однако содержание в них редкоземельных металлов — традиционных люминесцентных материалов — повышает стоимость относительно изделий, построенных с использованием других светоизлучающих материалов. В результате возникла необходимость в создании люминесцентных материалов, не содержащих редкоземельных металлов.

Японские ученые разработали новый механизм светоизлучения, основанный на преобразовании возбужденного триплетного состояния (T1) в возбужденное синглетное состояние (S1). Однако эффективность этого преобразования была невелика.

Чтобы ее повысить, группа исследователей разработала метод уменьшения ширины запрещенной зоны (ΔEST) со 100 до 50 мЭв во время преобразования из Т1 в S1, благодаря чему эффективность преобразования достигла 86,5%. В экспериментах использовались электронодонорные и электроноакцепторные молекулы с соответствующими электронными структурами. Излучение света происходило при электронных переходах между двумя типами молекул. В результате ширина запрещенной зоны сократилась наполовину.

Информация с сайта lightingmedia.ru с ссылкой на ledinside.com.





Последние новости

АРПЭ провела практическую конференцию "Экспорт российской электроники"
подробнее
Портфельная компания РОСНАНО «РСТ-Инвент» разработала RFID-метки нового поколения WinnyTag Duo
подробнее
Научно-технический семинар «Электромагнитная совместимость. Испытательные комплексы для сертификационных и предварительных испытаний военного, авиационного и гражданского оборудования»
подробнее
Официальное представительство Корпорации Microsemi примет участие в выставке «ЭкспоЭлектроника» 2018
подробнее
Новое оборудование в Технопарке Зубово
подробнее
Избраны органы управления Технологической платформы «СВЧ технологии»
подробнее
«Рязанский Радиозавод» внедряет инструменты бережливого производства
подробнее
© “Элинформ” 2007-2025.
Информационный портал для производителей электроники:
монтаж печатных плат, бессвинцовые технологии, поверхностный монтаж, производство электроники, автоматизация производства