Новости международного рынка

TSMC предложит только один универсальный 20-нм техпроцесс

Изображение с сайта 3dnews.ru

Крупнейший контрактный производитель, тайваньская компания TSMC, предложит лишь один процесс производства с соблюдением 20-нм норм, тогда как раньше компания предлагала несколько вариантов (например, HP для высокопроизводительных чипов или LP для энергоэффективных). Об этом во время очередной технологической встречи TSMC сказал исполнительный директор компании Санг-Ю Чианг (Shang-Yi Chiang), который также отметил, что после 20-нм норм компания может предложить своим клиентам 18-нм или 16-нм переходной техпроцесс, чтобы сделать выгодным освоение 14-нм норм.

Господин Чианг отмечает, что первоначально компания планировала предоставлять два 20-нм техпроцесса: высокопроизводительный и энергоэффективный, оба с применением металлических затворов с высокой диэлектрической проницаемостью (HKMG). Но после ряда шагов в этом направлении в TSMC осознали, что заметной разницы между двумя 20-нм техпроцессами нет по причине того, что расстояния между элементами схем очень малы и приближаются к физическим пределам, так что почти не остаётся возможности для оптимизации дизайна с помощью различной длины металлических затворов и внесения других изменений.

TSMC предлагает для 28-нм норм 4 техпроцесса: высокопроизводительный, энергоэффективный, энергоэффективный с применением HKMG и высокопроизводительный для мобильных чипов. TSMC ожидает, что производство на 20-нм техпроцессе HKMG начнётся уже в следующем году, а в 2015 году компания собирается начать 14-нм производство с применением транзисторов FinFET 3-D. Но для 14-нм норм будет необходимо применением литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV), а многие сомневаются, что она подоспеет вовремя. В результате TSMC может предложить 18-нм или 16-нм нормы. TSMC очень тщательно рассматривает возможность освоения этих переходных норм, ибо в таком случае компании придётся предлагать их в течении 10 лет.

Информация с сайта 3dnews.ru с ссылкой на eetimes.com.

Автор оригинального текста: Константин Ходаковский.